[实用新型]850纳米红外发光二极管主动照明的抗干扰成像装置无效
| 申请号： | 200820076136.0 | 申请日： | 2008-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN201159817Y | 公开（公告）日： | 2008-12-03 |
| 发明（设计）人： | 盖盈 | 申请（专利权）人： | 盖盈 |
| 主分类号： | G03B15/02 | 分类号： | G03B15/02;H04N5/225 |
| 代理公司： | 石家庄新世纪专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 张贰群 |
| 地址： | 050003河北省石家*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 850 纳米 红外 发光二极管 主动 照明 抗干扰 成像 装置 | ||
1、一种850纳米红外发光二极管主动照明的抗干扰成像装置，包括阵列成像探测器(4、41)，其特征在于设有中心波长850纳米红外发光二极管主动照明结构(2)，该中心波长850纳米红外发光二极管主动照明结构(2)的光源前面设有光束散射板(1)，上述阵列成像探测器(4)的前面设有能透过中心波长850纳米红外光的光学滤光片(3)。
2、根据权利要求1所述的850纳米红外发光二极管主动照明的抗干扰成像装置，其特征在于所述的能透过中心波长850纳米红外光的光学滤光片(3)装在阵列成像探测器(4)的光敏面前及镜头的后面或前面。
3、根据权利要求1所述的850纳米红外发光二极管主动照明的抗干扰成像装置，其特征在于所述的中心波长850纳米红外发光二极管主动照明结构(2)中设有1个或多个红外发光二极管。
4、根据权利要求1所述的850纳米红外发光二极管主动照明的抗干扰成像装置，其特征在于所述的光束散射板(1)为全息散射板或外表面或内部设有漫反射结构的透明物体。
5、根据权利要求4所述的850纳米红外发光二极管主动照明的抗干扰成像装置，其特征在于所述的外表面或内部设有漫反射结构的透明物体为单面或双面毛玻璃、毛有机玻璃或打毛的透明塑料。
6、根据权利要求1所述的850纳米红外发光二极管主动照明的抗干扰成像装置，其特征在于所述的阵列成像探测器(4)为CCD或CMOS探测器。
7、根据权利要求1、2、3、4、5或6所述的850纳米红外发光二极管主动照明的抗干扰成像装置，其特征在于所述的阵列成像探测器(4)的信号输出端与面相识别模块、面相识别系统、监视器或计算机相连。
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