[实用新型]带有多缺陷电磁带隙结构的高频结构无效

专利信息
申请号: 200820032671.6 申请日: 2008-02-26
公开(公告)号: CN201156572Y 公开(公告)日: 2008-11-26
发明(设计)人: 柏宁丰;孙小菡 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: H01P1/207 分类号: H01P1/207;H01P3/00;H01Q13/00
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 代理人: 陆志斌
地址: 21009*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型公开一种带有多缺陷电磁带隙结构的高频结构,包括电磁带隙结构,所述电磁带隙结构上设有输入端口和输出端口,所述电磁带隙结构包括腔体,在腔体内设有金属隔板、电子注通道及金属柱,其特征在于金属柱围绕电子注通道呈晶格分布排列,内圈金属柱的直径比外圈金属柱的直径大。本实用新型采用多缺陷电磁带隙结构,实现了器件在大直径/周期比下的单模工作状态和高Q值工作状态,同时克服了小直径/周期比给制造工艺带来的困难,具有更好的散热特性;工作带宽比原有相同尺寸电磁带隙结构的高频结构的工作带宽明显增大,优化了原有高频结构的色散特性。
搜索关键词: 带有 缺陷 磁带 结构 高频
【主权项】:
1.一种带有多缺陷电磁带隙结构的高频结构,包括电磁带隙结构,所述电磁带隙结构上设有输入端口(1)和输出端口(2),所述电磁带隙结构包括腔体(5),在腔体(5)内设有金属隔板(6)、电子注通道(4)及金属柱(31),其特征在于金属柱围绕电子注通道(4)呈晶格分布排列,内圈金属柱的直径比外圈金属柱的直径大。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东南大学,未经东南大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200820032671.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top