[实用新型]带有多缺陷电磁带隙结构的高频结构无效
| 申请号: | 200820032671.6 | 申请日: | 2008-02-26 |
| 公开(公告)号: | CN201156572Y | 公开(公告)日: | 2008-11-26 |
| 发明(设计)人: | 柏宁丰;孙小菡 | 申请(专利权)人: | 东南大学 |
| 主分类号: | H01P1/207 | 分类号: | H01P1/207;H01P3/00;H01Q13/00 |
| 代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人: | 陆志斌 |
| 地址: | 21009*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | 本实用新型公开一种带有多缺陷电磁带隙结构的高频结构,包括电磁带隙结构,所述电磁带隙结构上设有输入端口和输出端口,所述电磁带隙结构包括腔体,在腔体内设有金属隔板、电子注通道及金属柱,其特征在于金属柱围绕电子注通道呈晶格分布排列,内圈金属柱的直径比外圈金属柱的直径大。本实用新型采用多缺陷电磁带隙结构,实现了器件在大直径/周期比下的单模工作状态和高Q值工作状态,同时克服了小直径/周期比给制造工艺带来的困难,具有更好的散热特性;工作带宽比原有相同尺寸电磁带隙结构的高频结构的工作带宽明显增大,优化了原有高频结构的色散特性。 | ||
| 搜索关键词: | 带有 缺陷 磁带 结构 高频 | ||
【主权项】:
1.一种带有多缺陷电磁带隙结构的高频结构,包括电磁带隙结构,所述电磁带隙结构上设有输入端口(1)和输出端口(2),所述电磁带隙结构包括腔体(5),在腔体(5)内设有金属隔板(6)、电子注通道(4)及金属柱(31),其特征在于金属柱围绕电子注通道(4)呈晶格分布排列,内圈金属柱的直径比外圈金属柱的直径大。
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