[实用新型]带有多缺陷电磁带隙结构的高频结构无效
| 申请号： | 200820032671.6 | 申请日： | 2008-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN201156572Y | 公开（公告）日： | 2008-11-26 |
| 发明（设计）人： | 柏宁丰;孙小菡 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01P1/207 | 分类号： | H01P1/207;H01P3/00;H01Q13/00 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人： | 陆志斌 |
| 地址： | 21009*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 带有 缺陷 磁带 结构 高频 | ||
【权利要求书】：
1.一种带有多缺陷电磁带隙结构的高频结构，包括电磁带隙结构，所述电磁带隙结构上设有输入端口(1)和输出端口(2)，所述电磁带隙结构包括腔体(5)，在腔体(5)内设有金属隔板(6)、电子注通道(4)及金属柱(31)，其特征在于金属柱围绕电子注通道(4)呈晶格分布排列，内圈金属柱的直径比外圈金属柱的直径大。
2.如权利要求1所述的带有多缺陷电磁带隙结构的高频结构，其特征在于所述腔体(5)上设有电子注通道(4)的电子注入口(41)和电子注出口(42)，在金属隔板(6)上设有兼做电磁波通道和电子注通道的窗口(61)。
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