[实用新型]多元化合物红外晶体生长装置无效
| 申请号： | 200820025995.7 | 申请日： | 2008-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN201224776Y | 公开（公告）日： | 2009-04-22 |
| 发明（设计）人： | 王善朋;陶绪堂;蒋民华 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B35/00 |
| 代理公司： | 济南圣达专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 王书刚 |
| 地址： | 250061山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种多元化合物红外晶体生长装置，包括炉体，炉体内的炉膛由上至下包括上部高温区、中部梯度区和下部低温区三种温区，上部高温区和下部低温区设置有独立控温的加热器，上部高温区和下部低温区均安放有控温热电偶，中部梯度区为带通气孔的隔热耐火层，炉膛内设有支撑杆，支撑杆的下端与旋转卡头连接，旋转卡头与一电机连接，电机安装在一个螺旋移动机构上。本实用新型可以根据不同多元化合物红外晶体的生长习性，方便的调节高温区、低温区的控温温度，获得适合晶体生长的温场，维持固-液界面的稳定性，实现晶体的平界面生长。使用该生长装置，采用布里奇曼法能够制备出外观完整、结晶性能良好的多元化合物红外晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 多元 化合物 红外 晶体生长 装置 | ||
【主权项】：
1. 一种多元化合物红外晶体生长装置，包括炉体，其特征在于：炉体内的炉膛由上至下包括上部高温区、中部梯度区和下部低温区三种温区，上部高温区和下部低温区设置有独立控温的加热器，上部高温区和下部低温区均安放有控温热电偶，中部梯度区为带通气孔的隔热耐火层，炉膛内设有支撑杆，支撑杆的下端与旋转卡头连接，旋转卡头与一电机连接，电机安装在一个螺旋移动机构上。
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