[实用新型]多元化合物红外晶体生长装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种多元化合物红外晶体的生长装置，属于无机晶体生长技术领域。

背景技术

中远红外相干光源在激光领域具有非常重要的应用，在军事领域，如：激光制导、激光定向红外干扰、激光通讯、红外遥感、红外热像仪、红外测距、激光瞄准等；在民用领域，如：环境中痕量气体探测、生物、医药等方面都有着相当广泛的应用。目前的激光基质材料已经能够产生在一定范围内可调谐的相干光源输出，但由于其可调谐的波长范围决定于激活离子在激光介质中的增益带宽，因此它们的可调谐范围及效率受到相当大的限制。多元化合物红外晶体如：AgGaS₂、AgGaSe₂、ZnGeP₂、CdGeAs₂、LiInS₂、LiInSe₂等具有优异的非线性光学性能，可以通过光参量放大(OPA)、光参量振荡(OPO)等非线性频率变换技术实现可调谐的中远红外激光输出。上述化合物红外晶体是公认的生长较为困难的晶体，一般可用布里奇曼法(Bridgman法)进行单晶生长，传统的Bridgman法温场的梯度区即固-液界面处的温度梯度较小，且无法根据不同的晶体生长习性进行调节。这些化合物组分多，熔点差别大，饱和蒸汽压差别大，高温下易分解；尤其是结晶过程中，由于组成化合物各组元物质的分凝系数不同，加之固体与熔体的导热性能差别大，随着晶体生长过程的变化，会使结晶区的温场发生变化，导致固—液界面发生漂移，很难维持晶体生长所需的平(或微凸)界面生长，所以，通常的Bridgman方法和现有生长设备很难获得完整性好的化合物半导体单晶体，制约红外晶体的应用。

发明内容

本实用新型针对现有多元化合物红外晶体生长技术存在的不足，提供一种能够制备出外观完整、结晶性能良好的多元化合物红外晶体的多元化合物红外晶体生长装置。

本实用新型的多元化合物红外晶体生长装置采用以下技术解决方案：

该多元化合物红外晶体生长装置包括炉体，炉体内的炉膛由上至下包括上部高温区、中部梯度区和下部低温区三种温区，上部高温区和下部低温区设置有独立控温的加热器，上部高温区和下部低温区均安放有控温热电偶，中部梯度区为带通气孔的隔热耐火层，炉膛内设有支撑杆，支撑杆的下端与旋转卡头连接，旋转卡头与一电机连接，电机安装在一个螺旋移动机构上。

上部高温区的控温热电偶安放在上部高温区高度的1/2～2/3位置处，下部低温区的控温热电偶安放在下部低温区高度的1/3～1/2位置处。

隔热耐火层的上、下端设有挡板，调节上、下挡板的位置可以改变隔热耐火板的厚度。

隔热耐火层的上面加设一层氧化锆纤维毯，以进一步阻挡高温区热量传递到低温区。

炉膛的顶部设有绝热帽，用于封闭炉膛。

炉膛的底部设有隔热环，以防止热量向大气传递。

支撑杆内部放置有测温热电偶，用于实时测量坩埚尖部的温度。

本实用新型的多元化合物红外晶体生长装置，使晶体在高温区、低温区和梯度区三种温区的不同温度场中生长，在梯度区能够获得较大温度梯度且温度梯度可调节，从而可以根据不同多元化合物红外晶体的生长习性，方便的调节高温区、低温区的控温温度，获得适合不同化合物红外晶体生长的温场，维持固-液界面的稳定性，实现晶体的平界面生长。使用该生长装置，采用布里奇曼法(Bridgman法)能够制备出外观完整、结晶性能良好的多元化合物红外晶体。

附图说明

附图是本实用新型的多元化合物红外晶体生长装置的结构示意图。

图中：1、炉体，2、石英管，3、石墨坩埚，4、上加热器，5、高温区控温热电偶，6、氧化锆隔热毯，7、上挡板，8、隔热耐火层，9、下挡板，10、低温区控温热电偶，11、下加热器，12、支撑杆，13、隔热环，14、测温热电偶，15、卡头，16、绝热帽，17、固液界面，18、高温区，19、梯度区，20、低温区，21、通气孔。

具体实施方式