[实用新型]耦合磁场辅助电弧离子镀沉积装置无效
| 申请号： | 200820010140.7 | 申请日： | 2008-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN201158701Y | 公开（公告）日： | 2008-12-03 |
| 发明（设计）人： | 肖金泉;郎文昌;孙超;宫骏;杨英;赵彦辉;杜昊;闻立时 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | C23C14/32 | 分类号： | C23C14/32 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 | 代理人： | 张志伟 |
| 地址： | 110016辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及薄膜制备领域，具体地说是一种耦合磁场辅助电弧离子镀沉积装置，用以提高薄膜的沉积速率和沉积均匀性，减少靶材大颗粒的发射，提高靶材刻蚀均匀性。本实用新型电弧离子镀沉积装置设有两套磁场发生装置，一套放置于靶材后面，另一套放置于真空室内，通过两套耦合的磁场发生装置产生的耦合磁场辅助对基体进行沉积。本实用新型通过两套耦合的磁场发生装置产生的耦合磁场，解决了传统工艺等离子在传输空间分布的不均匀性，提高了薄膜的沉积速率和沉积均匀性。同时可以减少靶材颗粒的发射和薄膜中大颗粒的含量，提高薄膜质量，拓展了制备工艺参数的范围，为制备不同性能的薄膜提供条件。 | ||
| 搜索关键词： | 耦合 磁场 辅助 电弧 离子镀 沉积 装置 | ||
【主权项】：
1、耦合磁场辅助电弧离子镀沉积装置，其特征在于：电弧离子镀沉积装置设有两套磁场发生装置，一套放置于靶材后面，另一套放置于真空室内，通过两套耦合的磁场发生装置产生的耦合磁场辅助对基体进行沉积。
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