[实用新型]耦合磁场辅助电弧离子镀沉积装置无效

专利信息
申请号: 200820010140.7 申请日: 2008-01-09
公开(公告)号: CN201158701Y 公开(公告)日: 2008-12-03
发明(设计)人: 肖金泉;郎文昌;孙超;宫骏;杨英;赵彦辉;杜昊;闻立时 申请(专利权)人: 中国科学院金属研究所
主分类号: C23C14/32 分类号: C23C14/32
代理公司: 沈阳科苑专利商标代理有限公司 代理人: 张志伟
地址: 110016辽*** 国省代码: 辽宁;21
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 耦合 磁场 辅助 电弧 离子镀 沉积 装置
【权利要求书】:

1、耦合磁场辅助电弧离子镀沉积装置,其特征在于:电弧离子镀沉积装置设有两套磁场发生装置,一套放置于靶材后面,另一套放置于真空室内,通过两套耦合的磁场发生装置产生的耦合磁场辅助对基体进行沉积。

2、按照权利要求1所述的耦合磁场辅助电弧离子镀沉积装置,其特征在于:放置于靶材后面的磁场发生装置为在中间安装镀镍纯铁的电磁线圈或者环形永磁体。

3、按照权利要求1所述的耦合磁场辅助电弧离子镀沉积装置,其特征在于:放置于真空室内的磁场发生装置为一个耦合增强磁场线圈,耦合增强磁场线圈放置于真空室内的基体一侧或另一侧。

4、按照权利要求1所述的耦合磁场辅助电弧离子镀沉积装置,其特征在于:放置于真空室内的磁场发生装置为两个耦合增强磁场线圈,耦合增强磁场线圈分别放置于真空室内的基体一侧或两侧。

5、按照权利要求1所述的耦合磁场辅助电弧离子镀沉积装置,其特征在于:放置于真空室内的靶材外周设置有导磁环。

6.按照权利要求1所述的耦合磁场辅助电弧离子镀沉积装置,其特征在于:放置于真空室的磁场发生装置产生的磁场极性与放置于靶材后面的磁场发生装置产生的磁场极性相同。

7.按照权利要求2、3或4所述的耦合磁场辅助电弧离子镀沉积装置,其特征在于:电磁线圈的电流形式是直流、交流或者脉冲的,电流大小通过调压电源调节。

8.按照权利要求2、3或4所述的耦合磁场辅助电弧离子镀沉积装置,其特征在于:电磁线圈与靶材同轴,电磁线圈的位置可调,通过调节电磁线圈电流的大小来调节磁感应强度的大小,通过调节电流的方向来改变磁极的方向。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院金属研究所,未经中国科学院金属研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200820010140.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top