[实用新型]一种抗偏磁饱和的逆变全桥拓扑电路无效
| 申请号: | 200820004304.5 | 申请日: | 2008-01-29 |
| 公开(公告)号: | CN201153242Y | 公开(公告)日: | 2008-11-19 |
| 发明(设计)人: | 王广辉 | 申请(专利权)人: | 王广辉 |
| 主分类号: | H02M3/335 | 分类号: | H02M3/335;H02M7/5387;H02M1/40 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 061001河北省*** | 国省代码: | 河北;13 |
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| 摘要: | 本实用新型公开了一种抗偏磁饱和的逆变全桥拓扑电路,属于电源装置技术领域,旨在解决现有全桥式电源电路存有剩磁积累,偏磁饱和的问题。它是由三相整流桥D1-3、功率场效应管Q1-4、变压器T、数字集成电路IC、电阻R1-7、电容C1-10、二极管D4-5和电抗器L连接组成的一种抗偏磁饱和的逆变全桥拓扑电路。其结构新颖,能使功率变压器初始磁导始终不变,无偏磁饱和现象,体积小、重量轻,使用方便,适用于大功率充电电源、电镀电源、大功率电焊机电源等,有着广阔的推广应用前景。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 抗偏磁 饱和 逆变全桥 拓扑 电路 | ||
【主权项】:
1、一种抗偏磁饱和的逆变全桥拓扑电路,其特征在于,它是由三相整流桥(D1、D2、D3)的输入端连AC380V工频交流电源、输出接功率场效应管(Q1-4)组成的逆变桥,电阻(R1)与电容(C9)并联后接电阻(R2)与电容(C10)的并联共组成的并联组再与并联的电容(C1-3)接到三相整流桥(D1-3)的直流侧,电容(C4)串联电阻(R3)、电容(C5)串联电阻(R4)、电容(C6)串联电阻(R5)、电容(C7)串联电阻(R6)后分别并联到功率场效应管(Q1、Q2、Q3、Q4)的源极和漏极,功率场效应管(Q1-2)的漏极与三相整流桥(D1-3)极相连,功率场效应管(Q3-4)的源极与三相整流桥(D1-3)负极相连并串联电容(C8)后连于功率变压器(T)初极,功率场效应管(Q1-2)的源极与功率场效应管(Q3-4)的漏极相连后并联于功率变压器(T)初极另端,功率场效应管(Q1-4)的栅极分别接数字集成电路(IC),变压器(T)次极串联整流二极管(D4-5)接数字集成电路(IC)和电阻(R5)、电抗器(L)后接直流输出线(a、b)。
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