[实用新型]一种抗偏磁饱和的逆变全桥拓扑电路无效
| 申请号： | 200820004304.5 | 申请日： | 2008-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN201153242Y | 公开（公告）日： | 2008-11-19 |
| 发明（设计）人： | 王广辉 | 申请（专利权）人： | 王广辉 |
| 主分类号： | H02M3/335 | 分类号： | H02M3/335;H02M7/5387;H02M1/40 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 061001河北省*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 抗偏磁 饱和 逆变全桥 拓扑 电路 | ||
1、一种抗偏磁饱和的逆变全桥拓扑电路，其特征在于，它是由三相整流桥(D1、D2、D3)的输入端连AC380V工频交流电源、输出接功率场效应管(Q1-4)组成的逆变桥，电阻(R1)与电容(C9)并联后接电阻(R2)与电容(C10)的并联共组成的并联组再与并联的电容(C1-3)接到三相整流桥(D1-3)的直流侧，电容(C4)串联电阻(R3)、电容(C5)串联电阻(R4)、电容(C6)串联电阻(R5)、电容(C7)串联电阻(R6)后分别并联到功率场效应管(Q1、Q2、Q3、Q4)的源极和漏极，功率场效应管(Q1-2)的漏极与三相整流桥(D1-3)极相连，功率场效应管(Q3-4)的源极与三相整流桥(D1-3)负极相连并串联电容(C8)后连于功率变压器(T)初极，功率场效应管(Q1-2)的源极与功率场效应管(Q3-4)的漏极相连后并联于功率变压器(T)初极另端，功率场效应管(Q1-4)的栅极分别接数字集成电路(IC)，变压器(T)次极串联整流二极管(D4-5)接数字集成电路(IC)和电阻(R5)、电抗器(L)后接直流输出线(a、b)。
2、根据权利要求1所述的一种抗偏磁饱和的逆变全桥拓扑电路，其特征在于，逆变桥为IGBT组成的逆变桥。
3、根据权利要求1所述的一种抗偏磁饱和的逆变全桥拓扑电路，其特征在于，功率场效应管(Q1)与(Q2)脉宽相等，功率场效应管(Q3)与(Q4)脉宽相等，且功率场效应管(Q3)与(Q4)脉宽大于功率场效应管(Q1)与(Q2)的脉宽。
4、根据权利要求1所述的一种抗偏磁饱和的逆变全桥拓扑电路，其特征在于，数字集成电路(IC)为LPC2132型集成电路或AT90PWM3型集成电路。
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