[实用新型]提高钻石合成效率的设备装置无效
申请号: | 200820000475.0 | 申请日: | 2008-01-15 |
公开(公告)号: | CN201168593Y | 公开(公告)日: | 2008-12-24 |
发明(设计)人: | 宋丽萍 | 申请(专利权)人: | 辽宁子轩商贸有限公司 |
主分类号: | B01J3/06 | 分类号: | B01J3/06 |
代理公司: | 北京天平专利商标代理有限公司 | 代理人: | 王宏星 |
地址: | 100062北京市崇文*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种提高钻石合成效率的设备装置,在传统生长舱内设有至少一个V字型生长基座,生长基座的V字型部分呈内圆锥状,并直接固定在生长舱内的碳化钨砧上。增加了V字型生长基座后,既避免按照传统方式将种晶平放于钻板上任其自由生长的弊端,同时还使新生长出的钻石根据人为要求仅在经切割的种晶正面进行覆盖生长,使钻石的生长更有针对性、稳定性,提高了后续钻石的加工效率。 | ||
搜索关键词: | 提高 钻石 合成 效率 设备 装置 | ||
【主权项】:
1、一种提高钻石合成效率的设备装置,包括有生长舱,其特征在于在生长舱内设有至少一个V字型生长基座,所述的生长基座其V字型部分呈内圆锥状,其V型角度为95度-98.5度并直接固定在生长舱内的碳化钨砧上。
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