[发明专利]发光二极管无效

专利信息
申请号: 200810303723.3 申请日: 2008-08-13
公开(公告)号: CN101651178A 公开(公告)日: 2010-02-17
发明(设计)人: 余方祥;詹顺渊 申请(专利权)人: 富准精密工业(深圳)有限公司;鸿准精密工业股份有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518109广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 一种发光二极管,包括一发光芯片及一封装透镜,该封装透镜覆盖在该发光芯片的上方,该发光芯片包括一发光面,该封装透镜包括一出光面,该出光面与该发光面相对,该出光面包括一凹透面及围绕在该凹透面周围的一凸透面,该发光芯片发出的一部分光线通过该凹透面时朝该凹透面的周围区域发散,另一部分光线通过该凸透面时从四周朝该凹透面的周围区域聚集。该封装透镜在封装该发光芯片的同时形成凸透面及凹透面,不仅可以保护该发光芯片免受外界的污染和破坏,还可对发光芯片的光线进行引导,使其满足应用场合的光线分布需求,由此可省去传统技术中的二次透镜,因此,本发明的发光二极管的结构简单,成本低。
搜索关键词: 发光二极管
【主权项】:
1.一种发光二极管,包括一发光芯片及一封装透镜,该封装透镜覆盖在该发光芯片的上方,该发光芯片包括一发光面,该封装透镜包括一出光面,该出光面与该发光面相对,其特征在于:该出光面包括一凹透面及围绕在该凹透面周围的一凸透面,该发光芯片发出的一部分光线通过该凹透面时朝该凹透面的周围区域发散,另一部分光线通过该凸透面时从四周朝该凹透面的周围区域聚集。
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