[发明专利]发光二极管无效
| 申请号： | 200810303723.3 | 申请日： | 2008-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN101651178A | 公开（公告）日： | 2010-02-17 |
| 发明（设计）人： | 余方祥;詹顺渊 | 申请（专利权）人： | 富准精密工业（深圳）有限公司;鸿准精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 | ||
1.一种发光二极管，包括一发光芯片及一封装透镜，该封装透镜覆盖在该发光芯片的上方，该发光芯片包括一发光面，该封装透镜包括一出光面，该出光面与该发光面相对，其特征在于：该出光面包括一凹透面及围绕在该凹透面周围的一凸透面，该发光芯片发出的一部分光线通过该凹透面时朝该凹透面的周围区域发散，另一部分光线通过该凸透面时从四周朝该凹透面的周围区域聚集。
2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：该封装透镜的凸透面为纵长弧面并向上凸起。
3.如权利要求2所述的发光二极管，其特征在于：该凸透面的轮廓为一半椭球面。
4.如权利要求2所述的发光二极管，其特征在于：该封装透镜的凹透面为一纵长弧面并向下凹陷，该凹透面的纵长方向与该凸透面的纵长方向垂直。
5.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：该封装透镜的凹透面位于该出光面的中部并偏离一侧的位置。
6.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：该发光芯片邻近该封装透镜的凹透面。
7.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：还包括一反光板，该反光板位于该发光二极管的底部承载该发光芯片及封装透镜。
8.如权利要求7所述的发光二极管，其特征在于：该反光板是通过一电路板表面涂附高反射率的反光材质制成。
9.如权利要求7所述的发光二极管，其特征在于：该反光板为纵长形状。
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