[发明专利]半导体加工腔室部件及其制造方法及半导体加工设备无效
| 申请号： | 200810240103.X | 申请日： | 2008-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN101752214A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 陶林;张宝辉;钱进文 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01J37/317;C23C16/44;C23F4/00 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 | 代理人： | 赵镇勇 |
| 地址： | 100016 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体加工腔室部件及其制造方法及半导体加工设备，首先在腔室部件的表面涂一层Al、Al-Ni合金、Ti或P-Ni合金等金属打底层；然后在金属打底层之上涂一层Y2O3等陶瓷保护层。涂层结合强度高，可以减少腔室部件在使用、维护过程中破损的风险，能对腔室部件表面进行有效保护并减少颗粒产生，用于干法刻蚀机、离子注入机、CVD等设备，能降低设备的消耗成本并保证半导体加工工艺的正常进行。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 加工 部件 及其 制造 方法 设备 | ||
【主权项】：
一种半导体加工腔室部件，其特征在于，所述腔室部件的表面涂有金属打底层，所述金属打底层之上涂有陶瓷保护层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
