[发明专利]半导体加工腔室部件及其制造方法及半导体加工设备

权利要求书

1.一种半导体加工腔室部件，其特征在于，所述腔室部件的表面涂有金属打底层，所述金属打底层之上涂有陶瓷保护层。

2.根据权利要求1所述的半导体加工腔室部件，其特征在于，所述金属打底层包括以下至少一种材料：Al、Al-Ni合金、Ti、P-Ni合金。

3.根据权利要求2所述的半导体加工腔室部件，其特征在于，所述Al-Ni合金中包括以下至少一种物质相：Ni、Al₂O₃、NiO。

4.根据权利要求2或3所述的半导体加工腔室部件，其特征在于，所述Al-Ni合金中，Al、Ni之比为：Al∶Ni＝4～7∶93～96。

5.根据权利要求4所述的半导体加工腔室部件，其特征在于，所述Al-Ni合金中，Al、Ni之比为：Al∶Ni＝5∶95。

6.根据权利要求1或2所述的半导体加工腔室部件，其特征在于，所述金属打底层的厚度为50～100um。

7.根据权利要求1所述的半导体加工腔室部件，其特征在于，所述陶瓷保护层包含以下至少一种材料：Y₂O₃、Al₂O₃、SiC、Si₃N₄、BN、B₄C。

8.根据权利要求1或7所述的半导体加工腔室部件，其特征在于，所述陶瓷保护层的厚度为50～500um。

9.根据权利要求8所述的半导体加工腔室部件，其特征在于，所述陶瓷保护层的厚度为150～250um。

10.根据权利要求8所述的半导体加工腔室部件，其特征在于，所述陶瓷保护层的孔隙率小于6％。

11.根据权利要求1所述的半导体加工腔室部件，其特征在于，所述腔室部件的材质包括以下至少一种材质：陶瓷、石英、合金材料。

12.一种权利要求1至11任一项所述的半导体加工腔室部件的制造方法，其特征在于，包括步骤：

首先，对所述腔室部件的表面进行喷砂处理；

然后，在所述腔室部件的表面沉积金属打底层；

之后，在所述金属打底层之上喷涂陶瓷保护层。

13.根据权利要求12所述的半导体加工腔室部件的制造方法，其特征在于，所述腔室部件的表面进行喷砂处理后的表面粗糙度Ra为4～10um。

14.根据权利要求12所述的半导体加工腔室部件的制造方法，其特征在于，所述金属打底层的表面粗糙度Ra为5～20um。

15.根据权利要求14所述的半导体加工腔室部件的制造方法，其特征在于，所述金属打底层的沉积方式包括以下至少一种方式：电弧熔射、等离子喷涂。

16.根据权利要求12所述的半导体加工腔室部件的制造方法，其特征在于，所述陶瓷保护层的喷涂方式包括等离子喷涂沉积。

17.一种半导体加工设备，包括工艺腔室，其特征在于，所述工艺腔室包括权利要求1至11任一项所述的半导体加工腔室部件。

18.根据权利要求17所述的半导体加工设备，其特征在于，该半导体加工设备包括以下至少一种设备：

干法刻蚀机、离子注入机、化学气相淀积设备。