[发明专利]一种减少硅衬底材料化学机械抛光表面液蚀坑产生的抛光方法

摘要

本发明涉及了一种减少硅衬底材料化学机械抛光表面液蚀坑产生的抛光方法，它采用三步抛光法：粗抛光：采用溶质为粒径在45～80纳米的SiO2颗粒、溶剂为KOH的成品抛光液，该成品抛光液与去离子水的体积比配比为1∶10～35，温度控制在11～40℃；中抛光：采用溶质为粒径在5～25纳米的SiO2颗粒、溶剂为KOH的成品抛光液，该抛光液与去离子水的体积比配比为1∶15～40；温度控制在11～40℃；精抛光：采用溶质为粒径在5～25纳米的SiO2颗粒、溶剂为NH4OH的成品抛光液，该抛光液与去离子水的体积比配比为1∶(30～80)；温度控制在11～40℃；最后以去离子水或0.1％～10％的抛光用表面活性剂为抛光液，抛光表面5～20秒钟。本发明的优点是方法简单、有效、且不影响生产效率。

主权项

一种减少硅衬底材料化学机械抛光表面液蚀坑产生的抛光方法，其特征在于：它采用三步抛光法：(1)、粗抛光：粗抛光过程采用溶质为粒径在45～80纳米的SiO2颗粒、溶剂为KOH的成品抛光液，上述的含有SiO2颗粒的KOH的成品抛光液与去离子水的体积比配比为1∶10～35；抛光过程的温度控制在11～40℃；(2)中抛光：中抛光过程采用溶质为粒径在5～25纳米的SiO2颗粒、溶剂为KOH的成品抛光液，与去离子水的体积比配比为1∶15～40；抛光过程的温度控制在11～40℃；(3)、精抛光：精抛光过程采用溶质为粒径在5～25纳米的SiO2颗粒、溶剂为NHOH的成品抛光液，与去离子水的体积比配比为1∶(30～80)；抛光过程的温度控制在11～40℃；(4)、在精抛光的后期，以去离子水或0.1％～10％的抛光用表面活性剂为抛光液，抛光硅衬底材料表面5～20秒钟。