[发明专利]一种减少硅衬底材料化学机械抛光表面液蚀坑产生的抛光方法有效
| 申请号： | 200810239456.8 | 申请日： | 2008-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN101752239A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 史训达;林霖 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属研究总院;有研半导体材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 郭佩兰 |
| 地址： | 100088*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 减少 衬底 材料 化学 机械抛光 表面 液蚀坑 产生 抛光 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种减少硅衬底材料化学机械抛光表面液蚀坑产生的抛光方法，其特征在于：它采用三步抛光法：
(1)、粗抛光：粗抛光过程采用溶质为粒径在45～80纳米的SiO2颗粒、溶剂为KOH的成品抛光液，上述的含有SiO2颗粒的KOH的成品抛光液与去离子水的体积比配比为1∶10～35；抛光过程的温度控制在11～40℃；
(2)中抛光：中抛光过程采用溶质为粒径在5～25纳米的SiO2颗粒、溶剂为KOH的成品抛光液，与去离子水的体积比配比为1∶15～40；抛光过程的温度控制在11～40℃；
(3)、精抛光：精抛光过程采用溶质为粒径在5～25纳米的SiO2颗粒、溶剂为NH4OH的成品抛光液，与去离子水的体积比配比为1∶(30～80)；抛光过程的温度控制在11～40℃；
(4)、再精抛光的后期，以去离子水或1％～50％的抛光用表面活性剂为抛光液，抛光硅衬底材料表面5～20秒钟。
2.根据权利要求1所述的一种减少硅衬底材料化学机械抛光表面液蚀坑产生的抛光方法，其特征在于：它还包括：在完成精抛光过程后，将硅衬底材料浸入去离子水中、或对硅衬底材料表面进行去离子水喷淋不少于5分钟，再将其取出放入专用工装夹具中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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