[发明专利]浅沟槽形成方法有效
| 申请号： | 200810226381.X | 申请日： | 2008-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN101740373A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 赵林林 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308;H01L21/76 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种浅沟槽形成方法，包括，在半导体基底上形成钝化层及图形化的抗蚀剂层；以所述图形化的抗蚀剂层为掩膜，刻蚀所述钝化层；以刻蚀后的所述钝化层为硬掩膜，采用包含氟基硫化气体的刻蚀气体刻蚀部分深度的所述半导体基底，形成所述浅沟槽；至少在所述刻蚀过程的后段，所述氟基硫化气体的流量是逐渐减小的。本发明还提供了一种在刻蚀过程的中间阶段采用流量逐渐减小的所述氟基硫化气体的浅沟槽形成方法，均可弱化甚至消除折点，减小倾斜角度差值。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种浅沟槽形成方法，包括，在半导体基底上形成钝化层及图形化的抗蚀剂层；以所述图形化的抗蚀剂层为掩膜，刻蚀所述钝化层；以刻蚀后的所述钝化层为硬掩膜，采用包含氟基硫化气体的刻蚀气体刻蚀部分深度的所述半导体基底，形成所述浅沟槽；其特征在于：至少在所述刻蚀过程的后段，所述氟基硫化气体的流量是逐渐减小的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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