[发明专利]浅沟槽形成方法有效
| 申请号： | 200810226381.X | 申请日： | 2008-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN101740373A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 赵林林 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308;H01L21/76 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟槽 形成 方法 | ||
1.一种浅沟槽形成方法，包括，
在半导体基底上形成钝化层及图形化的抗蚀剂层；
以所述图形化的抗蚀剂层为掩膜，刻蚀所述钝化层；
以刻蚀后的所述钝化层为硬掩膜，采用包含氟基硫化气体的刻蚀气 体刻蚀部分深度的所述半导体基底，形成所述浅沟槽；
其特征在于：至少在所述刻蚀部分深度的所述半导体基底的过程 中，所述氟基硫化气体的流量是逐渐减小的。
2.根据权利要求1所述的浅沟槽形成方法，其特征在于：所述氟基 硫化气体为SF6。
3.根据权利要求1所述的浅沟槽形成方法，其特征在于：执行所述 刻蚀部分深度的所述半导体基底的过程中，所述半导体基底为(100) 晶面。
4.根据权利要求1所述的浅沟槽形成方法，其特征在于：在所述刻 蚀部分深度的所述半导体基底的过程中，刻蚀的所述半导体基底的深度 至少为所述浅沟槽深度的1/2。
5.一种浅沟槽形成方法，包括，
在半导体基底上形成钝化层及图形化的抗蚀剂层；
以所述图形化的抗蚀剂层为掩膜，刻蚀所述钝化层；
以刻蚀后的所述钝化层为硬掩膜，采用包含氟基硫化气体的刻蚀气 体刻蚀部分深度的所述半导体基底；
其特征在于，执行所述刻蚀部分深度的所述半导体基底的过程包 括：
以第一流量的所述氟基硫化气体刻蚀第一深度；
在所述第一流量逐渐减至第二流量的过程中，刻蚀第二深度；
以第二流量的所述氟基硫化气体刻蚀第三深度，形成所述浅沟槽。
6.根据权利要求5所述的浅沟槽形成方法，其特征在于：所述氟基 硫化气体为SF6。
7.根据权利要求5所述的浅沟槽形成方法，其特征在于：执行所述 刻蚀部分深度的所述半导体基底的过程中，所述半导体基底为(100) 晶面。
8.根据权利要求5所述的浅沟槽形成方法，其特征在于：所述第二 流量小于所述第一流量的1/2。
9.根据权利要求5所述的浅沟槽形成方法，其特征在于：所述第二 流量为所述第一流量的1/3-1/2。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
