[发明专利]一种碳化硅陶瓷的制备方法无效

专利信息
申请号: 200810224957.9 申请日: 2008-10-28
公开(公告)号: CN101386538A 公开(公告)日: 2009-03-18
发明(设计)人: 陈志林;傅峰;张建;林兰英 申请(专利权)人: 中国林业科学研究院木材工业研究所
主分类号: C04B35/565 分类号: C04B35/565
代理公司: 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 代理人: 尹振启
地址: 100091北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种碳化硅陶瓷的制备方法,具体为:采用固相烧结,将竹炭粉碎研磨后,与硅粉按质量比1∶3混合,将硅碳混合物与酚醛树脂按质量体积比为1∶1混合均匀;将混合物在140℃下预加热成型;在真空或者Ar气气氛状态下,将温度升高到设定的最终烧结温度进行高温烧结;保持温度30min,冷却制得SiC陶瓷材料。本发明利用竹材生物结构通过高温烧结而得到的碳化物材料,竹材在绝氧条件下进行炭化得到具有竹材孔隙结构的炭骨架,以此作为陶瓷相渗入和反应的生物模板,通过金属或者无机非金属物质渗入、烧结反应,使得到的陶瓷不仅具有竹材的精细结构,而且增加了反应面积,提高了合成速度,具有一般陶瓷制备方法无法比拟的优点。
搜索关键词: 一种 碳化硅 陶瓷 制备 方法
【主权项】:
1、一种碳化硅陶瓷的制备方法,具体为:1)采用固相烧结,竹炭粉碎研磨后,与硅粉按质量比1:3混合,然后将单位重量(g)的硅碳混合物与单位体积(ml)的酚醛树脂按1:1混合均匀;2)经步骤1中的混合物在140℃下预加热成型,冷却制备出块状试件;3)在真空(真空度28Pa)或者Ar气气氛状态下(Ar气的气体压力为0.012MPa),将温度升高到设定的最终烧结温度进行高温烧结;4)保持温度30min,之后自然冷却到室温,制得SiC陶瓷材料。
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