[发明专利]一种碳化硅陶瓷的制备方法无效
| 申请号： | 200810224957.9 | 申请日： | 2008-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN101386538A | 公开（公告）日： | 2009-03-18 |
| 发明（设计）人： | 陈志林;傅峰;张建;林兰英 | 申请（专利权）人： | 中国林业科学研究院木材工业研究所 |
| 主分类号： | C04B35/565 | 分类号： | C04B35/565 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 尹振启 |
| 地址： | 100091北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 陶瓷 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种碳化硅陶瓷的制备方法，具体为：
1)采用固相烧结，竹炭粉碎研磨后，与硅粉按质量比1:3混合，然后将单位重量(g)的硅碳混合物与单位体积(ml)的酚醛树脂按1:1混合均匀；
2)经步骤1中的混合物在140℃下预加热成型，冷却制备出块状试件；
3)在真空(真空度28Pa)或者Ar气气氛状态下(Ar气的气体压力为0.012MPa)，将温度升高到设定的最终烧结温度进行高温烧结；
4)保持温度30min，之后自然冷却到室温，制得SiC陶瓷材料。
2、如权利要求1所述的碳化硅陶瓷的制备方法，其特征在于，所述最终烧结温度为1500℃、1650℃或1800℃。
3、如权利要求1所述的碳化硅陶瓷的制备方法，其特征在于，所述高温烧结时，200℃以前，以5℃/min的升温速度进行烧结，200℃以后，以15℃/min的升温速度达到最终烧结温度。
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