[发明专利]基于非对称金属光栅结构的双频可调磁共振人工复合材料

摘要

基于非对称金属光栅结构的双频可调磁共振人工复合材料，其特征在于：选择石英基片并将表面抛光，在其表面蒸镀SiO₂膜；在SiO₂膜表面蒸镀铬膜，在铬膜上涂覆光刻胶层；采用电子束光刻方法，在光刻胶上制备介质光栅结构；采用湿法腐蚀技术，将光刻胶作为掩模，腐蚀裸露铬膜；采用干法腐蚀技术，将铬膜作掩模，在SiO₂膜上刻蚀介质光栅结构，去除铬膜；采用侧向真空沉积技术，在SiO₂光栅结构一侧侧向沉积厚度h金属层；同样在SiO₂光栅结构另一侧沉积相同厚度的金属层，形成顶部厚度2h，侧壁宽度h的“Π”形金属结构，基于非对称金属光栅结构的双频可调磁共振人工复合材料制作完成。本发明具有制作简便，单层损耗小，单层正入射以及双频的特性，在磁共振、近场光学、隐身材料等领域具有启示的意义以及很大的应用前景。

主权项

1、基于非对称金属光栅结构的双频可调磁共振人工复合材料，其特征在于包括以下步骤：(1)选择石英基片，并将其表面抛光；然后在其表面蒸镀一层高纯SiO2膜；(2)在高纯SiO2膜表面蒸镀一层铬膜，然后在铬膜上均匀涂覆一层光刻胶；(3)采用电子束光刻的方法，在光刻胶上制备介质光栅结构；(4)采用湿法腐蚀技术，将光刻胶作为掩模，腐蚀掉裸露在外的铬膜；(5)采用干法腐蚀技术，将铬膜作为掩模，在高纯SiO2膜上刻蚀出的介质光栅结构，去除铬膜；(6)采用侧向真空沉积技术，在SiO2光栅结构的一侧采用侧向沉积技术制作一层厚度为h金属层；(7)再次采用侧向真空沉积技术，在SiO2光栅结构的另一侧同样采用侧向沉积技术制作相同厚度为h的金属层，最后形成顶部厚度为2h，侧壁宽度为h的“п”形金属结构，一种基于非对称金属光栅结构的双频可调磁共振人工复合材料制作完成。