[发明专利]基于非对称金属光栅结构的双频可调磁共振人工复合材料

权利要求书

1、基于非对称金属光栅结构的双频可调磁共振人工复合材料，其特征在于包括以下步骤：

(1)选择石英基片，并将其表面抛光；然后在其表面蒸镀一层高纯SiO₂膜；

(2)在高纯SiO₂膜表面蒸镀一层铬膜，然后在铬膜上均匀涂覆一层光刻胶；

(3)采用电子束光刻的方法，在光刻胶上制备介质光栅结构；

(4)采用湿法腐蚀技术，将光刻胶作为掩模，腐蚀掉裸露在外的铬膜；

(5)采用干法腐蚀技术，将铬膜作为掩模，在高纯SiO₂膜上刻蚀出的介质光栅结构，去除铬膜；

(6)采用侧向真空沉积技术，在SiO₂光栅结构的一侧采用侧向沉积技术制作一层厚度为h金属层，所述h为18纳米至22纳米；

(7)再次采用侧向真空沉积技术，在SiO₂光栅结构的另一侧同样采用侧向沉积技术制作相同厚度为h的金属层，最后形成顶部厚度为2h，侧壁宽度为h的“п”形金属结构，一种基于非对称金属光栅结构的双频可调磁共振人工复合材料制作完成。

2、根据权利要求1所述的基于非对称金属光栅结构的双频可调磁共振人工复合材料，其特征在于：所述步骤(1)中的高纯SiO₂膜的厚度为70纳米到80纳米。

3、根据权利要求1所述的基于非对称金属光栅结构的双频可调磁共振人工复合材料，其特征在于：所述的步骤(2)中的铬膜厚度为25纳米至30纳米。

4、根据权利要求1所述的基于非对称金属光栅结构的双频可调磁共振人工复合材料，其特征在于：所述步骤(2)中的光刻胶为用于电子束刻蚀的PMMA光刻胶，其厚度为40纳米至60纳米。

5、根据权利要求1所述的基于非对称金属光栅结构的双频可调磁共振人工复合材料，其特征在于：所述的步骤(3)中的介质光栅结构的周期为315纳米到325纳米，占空比为2.18∶1～2.22∶1。

6、根据权利要求1所述的基于非对称金属光栅结构的双频可调磁共振人工复合材料，其特征在于：所述步骤(5)中的干法腐蚀技术可以为等离子辅助刻蚀技术，刻蚀气体可选CF₃。

7、根据权利要求1所述的基于非对称金属光栅结构的双频可调磁共振人工复合材料，其特征在于：所述步骤(6)和步骤(7)中的金属为同一种金属，为金、或银。

8、根据权利要求1所述的基于非对称金属光栅结构的双频可调磁共振人工复合材料，其特征在于：所述步骤(6)和步骤(7)中侧向沉积的时候角度控制的原则为：以SiO₂光栅的侧壁为沉积的掩模，避免金属层沉积在裸露出来的石英基片上，具体角度根据光栅高度以及占空比来确定。