[发明专利]用于射频SIM卡的两次变频接收电路和方法无效
| 申请号： | 200810216332.8 | 申请日： | 2008-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN101686064A | 公开（公告）日： | 2010-03-31 |
| 发明（设计）人： | 周建波;赵骞 | 申请（专利权）人： | 国民技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H04B1/16 | 分类号： | H04B1/16;H03D7/16;G06K19/07 |
| 代理公司： | 深圳市睿智专利事务所 | 代理人： | 陈鸿荫 |
| 地址： | 518057广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种用于射频SIM卡的两次变频接收电路，包括低噪声放大器(01)、高中频混频器(02)、低中频混频器(03)、本地振荡器(04)、正交I/Q电路(05)和低中频处理电路(07)；其特征在于，还包括分频器(06)，其将本地振荡器(04)产生的高本振信号进行N分频；将分频后的低本振信号输入所述正交I/Q电路(05)，将输出的I/Q本振信号输入到低中频混频器(03)混合后得到低中频信号；再经过低中频处理电路(07)处理后最终输出已经过两次变频的所需信号。本发明所述方案可以在不用外部镜像抑制滤波器的条件下，通过巧妙的频率分配，将信号镜像频率推高到3GHz左右，有效解决了射频SIM卡在2.4GHz ISM频段实际使用中的镜像抑制问题，同时并降低了芯片的功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 射频 sim 两次 变频 接收 电路 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于射频SIM卡的两次变频接收电路，包括低噪声放大器(01)、高中频混频器(02)、低中频混频器(03)、本地振荡器(04)、正交I/Q电路(05)和低中频处理电路(07)；其特征在于：还包括分频器(06)，所述分频器(06)将本地振荡器(04)产生的高本振信号进行N分频，所述N为正整数，5＜N＜12，得到低本振信号；将分频后的低本振信号输入所述正交I/Q电路(05)，得到低I/Q本振信号；从正交I/Q电路(05)输出的I/Q本振信号与高中频混频器(02)输出的高中频信号同时输入到低中频混频器(03)混合后得到低中频信号；该低中频信号经过低中频处理电路(07)处理后最终输出已经过两次变频的所需信号。
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