[发明专利]用于射频SIM卡的两次变频接收电路和方法无效

专利信息
申请号: 200810216332.8 申请日: 2008-09-23
公开(公告)号: CN101686064A 公开(公告)日: 2010-03-31
发明(设计)人: 周建波;赵骞 申请(专利权)人: 国民技术股份有限公司
主分类号: H04B1/16 分类号: H04B1/16;H03D7/16;G06K19/07
代理公司: 深圳市睿智专利事务所 代理人: 陈鸿荫
地址: 518057广东省深圳市南*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 用于 射频 sim 两次 变频 接收 电路 方法
【权利要求书】:

1、一种用于射频SIM卡的两次变频接收电路,包括低噪声放大器(01)、高中频混频器(02)、低中频混频器(03)、本地振荡器(04)、正交I/Q电路(05)和低中频处理电路(07);其特征在于:

还包括分频器(06),所述分频器(06)将本地振荡器(04)产生的高本振信号进行N分频,所述N为正整数,5<N<12,得到低本振信号;将分频后的低本振信号输入所述正交I/Q电路(05),得到低I/Q本振信号;从正交I/Q电路(05)输出的I/Q本振信号与高中频混频器(02)输出的高中频信号同时输入到低中频混频器(03)混合后得到低中频信号;该低中频信号经过低中频处理电路(07)处理后最终输出已经过两次变频的所需信号。

2、一种用于射频SIM卡的两次变频方法,基于权利要求1所述的变频电路,其特征在于,包括步骤:

A.本地振荡器(04)产生高本振信号LOH,其频率为fLO,highIF,同时输入至高中频混频器(02)和分频器(06);

B.分频器(06)将所述高本振信号LOH进行N分频得到低本振信号LOL,其频率为fLO,lowIF,然后送到正交I/Q电路(05);

C.正交I/Q电路(05)将输入的低本振信号LOL进行处理,产生正交的I/Q本振信号,输入至低中频混频器(03);

D.从天线接收的信号frf输入至低噪声放大器(01);

E.天线信号frf经低噪声放大器(01)放大后输出至高中频混频器(02)混合,得到高中频信号IFH,其频率为fIF,high

F.高中频信号IFH和所述正交I/Q本振信号同时输入低中频混频器(03)后,得到低中频信号IFL,其频率为fIF,low

G.所述低中频信号IFL通过低中频处理电路(07)处理后输出,从而得到已经过两次变频后所需要的信号。

3、如权利要求2所述的用于射频SIM卡的两次变频方法,其特征在于:

所述高本振信号LOH的频率fLO,highIF满足:

fLO,highIF=[N/(N-1)]*(frf+fIF,low),其中N取大于5小于12的整数。

4、如权利要求2所述的应用在射频SIM卡的两次变频方法,其特征在于:

所述射频SIM卡包括射频无线收发芯片(21)、接口处理电路(22)、主控集成电路(23),该射频SIM卡能够通过射频无线收发芯片(21)在一定距离内与配套的外围装置进行通信。

5、如权利要求2或4所述的应用在射频SIM卡的两次变频方法,其特征在于:

所述射频无线收发芯片(21)工作在2.4GHz ISM频段。

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