[发明专利]用于氮化物基膜以及其制造的掩埋接触器件无效
| 申请号： | 200810214758.X | 申请日： | 2008-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN101604665A | 公开（公告）日： | 2009-12-16 |
| 发明（设计）人： | K·S·A·布彻;M-P·F·温特伯特埃普富凯;A·J·J·费尔南德斯 | 申请（专利权）人： | 镓力姆企业私人有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L23/48;H01L21/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程 伟 |
| 地址： | 澳大利亚*** | 国省代码： | 澳大利亚;AU |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于氮化物基膜以及其制造的掩埋接触器件。本发明公开一种半导体器件包括：衬底；第一接触；在该衬底上沉积的第一层掺杂半导体材料；在该第一层上沉积的半导体结区域；在该结区域上沉积的第二层掺杂半导体材料，该第二层具有与该第一层半导体掺杂极性相反的半导体掺杂极性；以及第二接触；其中该第二接触与该第二层电通信以及该第一接触嵌入到该半导体器件之内在该衬底和该结区域之间并且与该第一层电通信；以及用于制造该嵌入接触半导体器件的工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 氮化物 及其 制造 掩埋 接触 器件 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，包括：衬底；第一接触；在该衬底上沉积的第一层掺杂半导体材料；在该第一层上沉积的半导体结区域；在该结区域上沉积的第二层掺杂半导体材料，该第二层具有与该第一层半导体掺杂极性相反的半导体掺杂极性；以及第二接触；其中该第二接触与该第二层电通信，以及该第一接触嵌入到该半导体器件之内在该衬底和该结区域之间并且与该第一层电通信。
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