[发明专利]用于氮化物基膜以及其制造的掩埋接触器件

权利要求书

1、一种半导体器件，包括：

衬底；

第一接触；

在该衬底上沉积的第一层掺杂半导体材料；

在该第一层上沉积的半导体结区域；

在该结区域上沉积的第二层掺杂半导体材料，该第二层具有与该第一层半导体掺杂极性相反的半导体掺杂极性；以及

第二接触；

其中该第二接触与该第二层电通信，以及该第一接触嵌入到该半导体器件之内在该衬底和该结区域之间并且与该第一层电通信。

2、根据权利要求1所述的器件，其中该第一和第二半导体材料层是半导体氮化物层。

3、根据权利要求2所述的器件，其中该半导体氮化物层是选自GaN、AlGaN和InGaN半导体氮化物。

4、根据权利要求1所述的器件，其中该第一接触是嵌入到该第一半导体层之内的。

5、根据权利要求1所述的器件，进一步包括该衬底和该第一半导体层之间的缓冲层，其中该第一接触嵌入到该缓冲层之内。

6、根据权利要求5所述的器件，其中该缓冲层是使得串联电阻降低的缓冲层。

7、根据权利要求5或权利要求6所述的器件，其中该缓冲层是选自由绝缘缓冲层或有源半导体缓冲层构成的组。

8、根据权利要求5至7的任一权利要求所述的器件，其中该有源半导体缓冲层包括n型或p型半导体。

9、根据权利要求8所述的器件，其中该有源半导体缓冲层包括氮化物半导体。

10、根据权利要求8所述的器件，其中该绝缘缓冲层是由ZnO形成。

11、一种由半导体氮化物材料形成的嵌入接触半导体器件，包括：

衬底；

在该衬底上的至少一个第一接触；

第一半导体氮化物层，其中第一接触嵌入在第一层中并且与该第一层电通信；

邻近该第一半导体层的结区域；

邻近该结区域的第二半导体氮化物层；

邻近该第二半导体层并且与该第二层电通信的第二接触；

其中该第一和第二接触通过该结区域电互连。

12、一种嵌入接触金属氮化物半导体器件，包括：

衬底；

在该衬底上沉积的第一金属氮化物层；

至少形成在该第一金属氮化物层上的第一接触；

在该第一金属氮化物层上沉积的第二金属氮化物层，封住至少部分该第一接触；

在该第二金属氮化物层上沉积的半导体结区域；

在该结区域上沉积的第三金属氮化物层，该第三金属氮化物层具有与该第一和第二金属氮化物层半导体掺杂极性相反的半导体掺杂极性；以及

第二接触与该第三金属氮化物层电通信。

13、根据权利要求1至12任一权利要求所述的器件，其中该衬底是硼硅酸盐玻璃、石英玻璃、蓝宝石、石英、ZnO、碳化硅或硅。

14、根据权利要求1至12任一权利要求所述的器件，其中该器件是GaN蓝光LED、GaN基蓝光LED、GaN蓝激光二极管或GaN基蓝激光二极管。

15、一种形成嵌入接触半导体氮化物器件的工艺，包括步骤：

提供衬底，包括至少一个第一接触；

掩盖该第一接触的第一部分以暴露包括该第一接触的第二部分的至少一个器件区域；

在该器件区域中的该第一接触的该第二部分上形成第一半导体氮化物层从而在该第一层中嵌入该第一接触；

在该第一层上形成结；

在该结上形成第二半导体氮化物层；

在该第二层上形成第二接触；以及

移除该掩模从而暴露该第一接触的该第一部分。

16、一种形成嵌入接触的半导体氮化物器件的工艺，包括步骤：

提供衬底，包括至少一个第一接触；

在该第一接触上形成第一半导体氮化物层从而在该第一层中嵌入该第一接触；

在该第一层上形成结；

在该结上形成第二半导体氮化物层；以及

在该第二层上形成第二接触。

17、根据权利要求15或权利要求16所述的工艺，其中该第一和第二半导体氮化物层是选自GaN、AlGaN和InGaN半导体氮化物。