[发明专利]使用搀杂物和具有受控晶体结构的多层硅薄膜来调整多晶硅薄膜和周围层的应力无效
| 申请号： | 200810214397.9 | 申请日： | 2008-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN101436533A | 公开（公告）日： | 2009-05-20 |
| 发明（设计）人： | 马毅;凯文·L·卡宁厄姆;马吉德·阿里·福德 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/285;H01L29/40;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在某些实施例中提供了一种用来形成多层硅薄膜的方法。在处理室中放置衬底。通过使包含硅源气体的第一处理气体流进处理室在衬底上形成非晶硅薄膜。通过在第一温度下使包含硅源气体和第一稀释气体混合物的第一处理气体混合物流进沉积室在非晶硅薄膜上形成多晶硅薄膜，第一稀释气体混合物包含H2和惰性气体。在某些实施例中，多晶硅薄膜具有<220>方向占支配地位的晶体取向。在某些实施例中，多晶硅薄膜具有<111>方向占支配地位的晶体取向。也提供了包含下部非晶硅薄膜和具有无序晶粒结构或柱状晶粒结构的上部多晶硅薄膜的结构。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 搀杂 具有 受控 晶体结构 多层 薄膜 调整 多晶 周围 应力 | ||
【主权项】：
1. 一种形成多层硅薄膜的方法，包括：将衬底定位在沉积室中；通过使包含硅源气体的第一处理气体流进所述沉积室在所述衬底上形成非晶硅薄膜；通过在第一温度下使第一处理气体混合物流进所述沉积室在所述非晶硅薄膜上形成多晶硅薄膜，所述第一处理气体混合物包含硅源气体和第一稀释气体混合物，所述第一稀释气体混合物包含H2和惰性气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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