[发明专利]在半导体器件中进行失效分析的方法有效
| 申请号： | 200810208185.X | 申请日： | 2008-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN101769876A | 公开（公告）日： | 2010-07-07 |
| 发明（设计）人： | 陈强;郭志蓉;周晶 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/88 | 分类号： | G01N21/88;G01N13/10;G01R31/303 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种在半导体器件中进行失效分析的方法，包括：提供待测的半导体器件，所述半导体器件包括晶片和封装覆层；在封装覆层的一侧形成暴露晶片正面的开口；在暴露的晶片正面进行失效分析；填充所述开口；在封装覆层的另一侧进行研磨直至暴露晶片背面；在暴露的晶片背面进行失效分析。与现有技术相比，本发明采用先在晶片正面开口，后在晶片背面研磨的方法，实现在晶片的正背面分别进行一次失效分析，提高了失效分析的准确性，增强了失效分析的效果，改善了晶片的利用率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 进行 失效 分析 方法 | ||
【主权项】：
一种在半导体器件中进行失效分析的方法，包括：提供待测的半导体器件，所述半导体器件包括晶片和封装覆层；在封装覆层的一侧形成暴露晶片正面的开口；在暴露的晶片正面进行失效分析；填充所述开口；在封装覆层的另一侧进行研磨直至暴露晶片背面；在暴露的晶片背面进行失效分析。
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