[发明专利]在半导体器件中进行失效分析的方法

权利要求书

1.一种在半导体器件中进行失效分析的方法，包括：

提供待测的半导体器件，所述半导体器件包括晶片和封装覆层，所述封 装覆层用于包覆晶片；

在封装覆层的一侧形成暴露晶片正面的开口，所述开口为通过施加强酸 溶液腐蚀部分封装覆层后得到的侧截面呈外宽内窄的结构，所述侧截面呈外 宽内窄的开口仅剥除了一部分的封装覆层，而未影响并损及晶片及其周边的 组件；

在暴露的晶片正面进行失效分析；

采用填料填充所述开口直至将其填平，在填充过程中，同时伴有加热动 作，促使所述填料软化并完全填塞开口；

在填充所述开口之后，在所述封装覆层上覆上保护层；

在封装覆层的另一侧进行研磨直至暴露晶片背面；

在暴露的晶片背面进行失效分析。

2.根据权利要求1所述的失效分析的方法，其特征在于，所述强酸溶液包括 高温硫酸或发烟硝酸。

3.根据权利要求1所述的失效分析的方法，其特征在于，所述开口为圆形、 椭圆形或矩形。

4.根据权利要求3所述的失效分析的方法，其特征在于，所述开口的侧截面 呈倒梯形。

5.根据权利要求1所述的失效分析的方法，其特征在于，所述填充所述开口 的步骤中采用热硅胶对开口进行填充。

6.根据权利要求1所述的失效分析的方法，其特征在于，所述保护层采用的 材料包括石英、有机玻璃、陶瓷或金属。

7.根据权利要求1所述的失效分析的方法，其特征在于，所述在封装覆层的 另一侧进行研磨采用化学机械研磨的方法。

8.根据权利要求1所述的失效分析的方法，其特征在于，所述进行失效分析 使用微光显微镜、光学显微镜或扫描式电子显微镜。