[发明专利]等离子体刻蚀方法有效
| 申请号： | 200810205373.7 | 申请日： | 2008-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN101465287A | 公开（公告）日： | 2009-06-24 |
| 发明（设计）人： | 高山星一;倪图强 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/3105;H01L21/311;G03F7/26 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 丽 |
| 地址： | 201201上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及等离子体刻蚀方法。本发明在刻蚀半导体衬底上的多层刻蚀目标层的步骤之前，均包括电离包含惰性气体的预处理气体以形成预处理等离子体，利用预处理等离子体处理光刻胶层的步骤，从而避免光刻胶层的图形侧壁上形成沟槽，进而使得在电介质层上刻蚀出的形状更符合预期。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种等离子体刻蚀方法，包括步骤：(1)提供一半导体衬底，所述衬底上方包括刻蚀目标层和位于刻蚀目标层上方的光刻胶层；(2)图形化所述光刻胶层；(3)提供预处理气体等离子体，利用所述预处理等离子体处理所述光刻胶层；(4)以预处理后的光刻胶层为掩膜刻蚀所述目标层第一深度；(5)利用所述预处理等离子体再次处理所述光刻胶层；(6)以所述再次处理后的光刻胶层为掩膜刻蚀目标层第二深度；所述预处理光刻胶层步骤中，所述预处理等离子体穿透光刻胶层的距离小于或等于光刻胶层厚度的一半。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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