[发明专利]等离子体刻蚀方法有效
| 申请号： | 200810205373.7 | 申请日： | 2008-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN101465287A | 公开（公告）日： | 2009-06-24 |
| 发明（设计）人： | 高山星一;倪图强 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/3105;H01L21/311;G03F7/26 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 丽 |
| 地址： | 201201上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 等离子体 刻蚀 方法 | ||
1.一种等离子体刻蚀方法，包括步骤：
(1)提供一半导体衬底，所述衬底上方包括刻蚀目标层和位于刻蚀目标层上方的光刻胶层；
(2)图形化所述光刻胶层；
(3)提供预处理气体等离子体，利用所述预处理等离子体处理所述光刻胶层，所述预处理气体选自He、Ar、Kr、Xe、Rn或前述气体按任意比例混合所形成的混合气体；
(4)以预处理后的光刻胶层为掩膜刻蚀所述目标层第一深度；
(5)利用所述预处理等离子体再次处理所述光刻胶层；
(6)以所述再次处理后的光刻胶层为掩膜刻蚀目标层第二深度；
所述预处理光刻胶层步骤中，所述预处理等离子体穿透光刻胶层的距离小于或等于光刻胶层厚度的一半。
2.如权利要求1所述的等离子体刻蚀方法，其特征在于：步骤(3)至步骤(6)重复进行，直到所述刻蚀目标层被刻蚀完毕。
3.如权利要求1所述的等离子体刻蚀方法，其特征在于：所述刻蚀目标层包括第一材料层，所述第一深度与第二深度的和小于等于所述第一材料层的厚度。
4.如权利要求1所述的等离子体刻蚀方法，其特征在于：所述刻蚀目标层至少包括第一材料层和第二材料层，所述第一深度与第二深度之和小于等于所述第一材料层与第二材料层的厚度之和。
5.如权利要求1所述的等离子体刻蚀方法，其特征在于：形成预处理等离子体的射频功率为200瓦至2000瓦。
6.如权利要求1所述的等离子体刻蚀方法，其特征在于：利用所述预处理等离子体处理所述光刻胶层的时间为5秒至50秒。
7.如权利要求1所述的等离子体刻蚀方法，其特征在于：所述第一材料层为底部抗反射层，所述第二材料层为电介质层。
8.一种等离子体刻蚀方法，包括步骤：
提供半导体衬底，所述半导体衬底上设有停止刻蚀层，所述停止刻蚀层上设有电介质层，所述电介质层上设有底部抗反射层，所述底部抗反射层上设有图形化的光刻胶层；
利用由包含惰性气体预处理气体形成的等离子体处理所述光刻胶层；
以光刻胶层为掩膜，用等离子体刻蚀底部抗反射层至暴露所述电介质层；
第二次用由包含惰性气体的预处理气体形成的等离子体处理所述光刻胶层；
以光刻胶层为掩膜，用等离子体刻蚀电介质层至暴露所述刻蚀停止层；
再次用由包含惰性气体的预处理气体形成的等离子体处理所述光刻胶层；
以光刻胶层为掩膜，用等离子体部分刻蚀所述刻蚀停止层；
所述预处理气体的等离体处理中，等离子体穿透光刻胶层的距离小于或等于光刻胶层厚度的一半。
9.如权利要求8所述的等离子体刻蚀方法，其特征在于：所述惰性气体选自He、Ar、Kr、Xe、Rn或前述气体按任意比例混合所形成的混合气体。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中微半导体设备（上海）有限公司，未经中微半导体设备（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810205373.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
