[发明专利]多样电子束曝光条件的雾化效应补偿方法及其曝光方法有效
| 申请号： | 200810203849.3 | 申请日： | 2008-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN101750902A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 田明静 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F1/14 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种多样电子束曝光条件的雾化效应补偿方法及其曝光方法，属于光刻技术领域。该电子束曝光条件的雾化效应补偿方法及其曝光方法，用于同一掩膜版上实现多个不同曝光条件的电子束曝光。通过等效虚构版图来实现雾化效应能量补偿参数，不同曝光条件区域相互之间的雾化效应都得到考虑。因此该雾化效应补偿方法补偿准确，电子束曝光时的能量准确，曝光图案精确度高。 | ||
| 搜索关键词： | 多样 电子束 曝光 条件 雾化 效应 补偿 方法 及其 | ||
【主权项】：
一种电子束曝光的雾化效应补偿方法，用于同一掩膜版上实现N个不同曝光条件的电子束曝光，其特征在于包括步骤：(1)将同一掩膜版中的N个不同曝光条件区域分别置于N个不同曝光条件的图层；(2)根据第M曝光条件的图层之外的版图图形，构造等效虚构版图；(3)将所述等效虚构版图与第M曝光条件图层的版图组合；(4)以所述组合后的版图生成能量补偿模型，确定第M曝光条件图层的雾化效应能量补偿参数于曝光文件中；其中，N为整数，M为大于或等于1的整数，N≥M且不等于1。
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