[发明专利]多样电子束曝光条件的雾化效应补偿方法及其曝光方法

权利要求书

1.一种电子束曝光的雾化效应补偿方法，用于同一掩膜版上实现N个不同曝 光条件的电子束曝光，其特征在于包括步骤：

(1)将同一掩膜版中的N个不同曝光条件区域分别置于N个不同曝 光条件的图层；

(2)根据第M曝光条件的图层之外的版图图形，构造等效虚构版图；

(3)将所述等效虚构版图与第M曝光条件图层的版图组合；

(4)以所述组合后的版图生成能量补偿模型，确定第M曝光条件图 层的雾化效应能量补偿参数于曝光文件中；

其中，N为整数，M为大于或等于1的整数，N≥M且不等于1。

2.根据权利要求1所述的补偿方法，其特征在于，所述第(1)、(2)步骤之 间还包括步骤：

(1b)根据所述掩膜版的版图计算雾化能量修正值一；

所述第(3)、(4)步骤之间还包括步骤：

(3b)根据组合后的版图计算雾化能量修正值二；

(3c)修正值二是否相等或相近于修正值一，如果不相等或相近， 返回步骤(2)重新构造等效虚构版图，如果相等或相近，进行步骤(4)；

其中，修正值二与修正值一的差值是在修正值一的±10％范围内，则 修正值二相等或相近于修正值一。

3.根据权利要求1或2所述的补偿方法，其特征在于，所述等效虚构版图的 曝光面积密度相等于所述第M曝光条件的图层之外的版图的曝光面积密 度。

4.根据权利要求1或2所述的补偿方法，其特征在于，所述等效虚构版图的 图形的周长比所述第M曝光条件的图层之外的版图的图形的周长短。

5.根据权利要求1或2所述的补偿方法，其特征在于，所述曝光条件包括电 子束曝光剂量或邻近效应补偿。

6.一种电子束曝光方法，用于同一掩膜版上实现N个不同曝光条件的电子束 曝光，其特征在于包括步骤：

(1)将同一掩膜版中的N个不同曝光条件区域分别置于N个不同曝 光条件的图层；

(2)根据第M曝光条件的图层之外的版图图形，构造等效虚构版图；

(3)将所述等效虚构版图与第M曝光条件图层的版图组合；

(4)以所述组合后的版图生成能量补偿模型，确定第M曝光条件图 层的雾化效应能量补偿参数于曝光文件中；

(5)用一个不对第M曝光条件的区域产生雾化效应影响并不对所述 掩膜版图案构成缺陷的版图图案替代所述等效虚构版图图案；

(6)电子束曝光于第M曝光条件的区域；

其中，N为整数，M为大于或等于1的整数，N≥M且不等于1。

7.根据权利要求6所述的电子束曝光方法，其特征在于，所述第(1)、(2) 步骤之间还包括步骤：

(1b)根据所述掩膜版的版图计算雾化能量修正值一；

所述第(3)、(4)步骤之间还包括步骤：

(3b)根据组合后的版图计算雾化能量修正值二；

(3c)修正值二是否相等或相近于修正值一，如果不相等或相近， 返回步骤(2)重新构造等效虚构版图，如果相等或相近，进行步骤(4)；

其中，修正值二与修正值一的差值是在修正值一的±10％范围内，则 修正值二相等或相近于修正值一。

8.根据权利要求7所述的电子束曝光方法，其特征在于，在第(6)步骤之 前，还包括重复所述第(2)至(5)之间的M值不相同的步骤，所述第(6) 步骤的不同曝光条件的区域在同一电子束曝光过程中完成。

9.根据权利要求6或7或8所述的补偿方法，其特征在于，所述等效虚构版 图的曝光面积密度相等于所述第M曝光条件的图层之外的版图的曝光面积 密度。

10.根据权利要求6或7或8所述的补偿方法，其特征在于，所述等效虚构版 图的图形的周长比所述第M曝光条件的图层之外的版图的图形的周长短。

11.根据权利要求6或7或8所述的补偿方法，其特征在于，所述曝光条件包 括电子束曝光剂量或邻近效应补偿。

12.根据权利要求6或7或8所述的补偿方法，其特征在于，所述不对第M曝 光条件的区域产生雾化效应影响并不对所述掩膜版图案构成缺陷的版图 图案是一个纳米级尺寸版图图案。