[发明专利]一种提高出光效率的发光二极管芯片制造方法无效
| 申请号： | 200810203359.3 | 申请日： | 2008-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN101409323A | 公开（公告）日： | 2009-04-15 |
| 发明（设计）人： | 李有群;涂江;俞振中;康建 | 申请（专利权）人： | 上海大晨光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 余明伟;冯 珺 |
| 地址： | 201206上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明一种提高出光效率的发光二极管芯片制造方法，其包括步骤一，对发光二极管芯片进行划片至衬底，步骤二，采用扩片工艺对划片后的芯片进行扩片，步骤三，配制NaCLO腐蚀液，所述NaCLO腐蚀液采用体积比为1∶9至1∶18之间的NaCLO溶液与水配制，该NaCLO腐蚀液的pH值在4-7之间，步骤四，采用上述NaCLO腐蚀液喷洒扩片后的芯片。本发明主要涉及对芯片侧面进行粗化处理，使光线从内部折射出来，从而提高出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 效率 发光二极管 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种提高出光效率的发光二极管芯片制造方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：步骤一，划片，采用接触划片工艺对芯片进行划片至衬底，步骤二，自制夹具，其包括旋转的底盘、在底盘上方的水泵以及与水泵连接的盛液槽，步骤三，扩片，将塑料膜固定在扩片环，将划片后的芯片贴在塑料膜上，对划片后的芯片按1∶0.4-1∶0.7的比例进行微扩，将扩片环安装于旋转的底盘上，步骤四，配制NaCLO腐蚀液，所述NaCLO腐蚀液采用NaCLO溶液与水按体积比为1∶9至1∶18之间配制，该NaCLO腐蚀液的PH值在4-7之间、温度在35-75℃，步骤五，将配制好的NaCLO腐蚀液倒入腐蚀夹具的盛液槽里，开启转动底盘及水泵喷洒NaCLO腐蚀液开始腐蚀，每片腐蚀40-70秒，步骤六，腐蚀后，用去离子水清洗，再用干燥氮气吹干。
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