[发明专利]基于SiSb复合材料的相变存储器单元有效
| 申请号： | 200810203357.4 | 申请日： | 2008-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN101414481A | 公开（公告）日： | 2009-04-22 |
| 发明（设计）人： | 宋志棠;张挺;刘波;封松林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 余明伟;冯 珺 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于SiSb复合材料的相变存储器单元。SiSb是一种复合材料，它既具备半导体特性，又具有相变特性，在电信号作用下材料具备在高、低电阻间的可逆转换能力。当SiSb中的硅含量较高(Si含量大于百分之五十原子比)时，SiSb材料为一种n型半导体；而当SiSb中的硅含量较低(Si含量小于百分之三十原子比)时，SiSb材料为一种相变材料，以作为相变存储器单元的存储介质。本发明采用n型的SiSb半导体与p型硅形成二极管结构，并采用较低硅含量的SiSb相变材料作为存储介质，形成1D1R结构(一个二极管和一个电阻)，从而实现数据的存储功能。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 sisb 复合材料 相变 存储器 单元 | ||
【主权项】：
1、基于SiSb复合材料的相变存储器单元，包括逻辑选通单元以及储存介质，其特征在于：所述的储存介质由SiSb材料构成，所述的逻辑选通单元为由n型的SiSb材料层和p型的半导体材料层组成的pn结二极管。
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