[发明专利]基于SiSb复合材料的相变存储器单元有效
| 申请号： | 200810203357.4 | 申请日： | 2008-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN101414481A | 公开（公告）日： | 2009-04-22 |
| 发明（设计）人： | 宋志棠;张挺;刘波;封松林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 余明伟;冯 珺 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 sisb 复合材料 相变 存储器 单元 | ||
【权利要求书】：
1.基于SiSb复合材料的相变存储器单元，包括逻辑选通单元以及储存介质，其特征在于： 所述的储存介质由SiSb材料构成，所述的逻辑选通单元为由n型的SiSb材料层和p型的半 导体材料层组成的pn结二极管，所述的作为储存介质的SiSb材料中Si和Sb的原子比为10∶ 90或5∶95；对应的作为逻辑选通单元中的n型的SiSb材料层中，Si和Sb的原子比为90∶ 10或95∶5。
2.按权利要求1所述的基于SiSb复合材料的相变存储器单元，其特征在于：所述的p型半 导体材料为p型硅，或为p型锗。
3.按权利要求1或2所述的基于SiSb复合材料的相变存储器单元，其特征在于：所述的 SiSb材料的制备方法为溅射法、或为气相沉积法、或为原子层沉积法。
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