[发明专利]封装结构及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200810201560.8 申请日: 2008-10-22
公开(公告)号: CN101728347A 公开(公告)日: 2010-06-09
发明(设计)人: 朱奇农;李德君 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H01L23/485 分类号: H01L23/485;H01L21/60
代理公司: 上海智信专利代理有限公司 31002 代理人: 王洁
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种封装结构及其制造方法,属于微电子制造技术领域。封装结构包括:半导体衬底、接触焊盘、钝化层、应力缓冲层以及形成与应力缓冲层上的柱状凸块,其中,应力缓冲层中与任意一柱状凸块结构对应的区域都设置有主开口、以及一个或一个以上的辅助开口,所述辅助开口和主开口在对应柱状凸块的构图平面范围内呈均匀分布。本发明提供的封装结构在柱状凸块形成过程中能避免回流过程中焊料崩塌的现象,并具有可靠性高的特点。
搜索关键词: 封装 结构 及其 制造 方法
【主权项】:
一种封装结构,包括,半导体衬底;位于半导体衬底上并相互独立的一个以上的接触焊盘;覆盖半导体衬底并暴露出所述接触焊盘的钝化层;位于钝化层上的应力缓冲层以及位于应力缓冲层上的一个或者一个以上的柱状凸块结构;其特征在于:应力缓冲层中与任意一柱状凸块结构对应的区域都设置有用于实现所述接触焊盘和柱状凸块结构电连接的主开口、以及一个或者一个以上的辅助开口,所述主开口位置与接触焊盘的位置对应并暴露出部分接触焊盘,所述主开口和辅助开口在对应柱状凸块结构的构图平面范围内呈均匀分布。
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