[发明专利]绝缘体上的硅衬底的制备方法

摘要

一种绝缘体上的硅衬底的制备方，包括如下步骤：(a)提供单晶硅衬底；(b)在单晶硅衬底表面生长掺杂单晶硅层；(c)提供支撑衬底；(d)将支撑衬底和单晶硅衬底键合在一起，形成键合后的衬底；(e)对键合后的衬底进行第一次退火；(f)腐蚀单晶硅衬底至露出掺杂单晶硅层；(g)对键合后的衬底进行第二次退火；(h)抛光腐蚀后露出的掺杂单晶硅层的表面。本发明的优点在于，利用旋转腐蚀工艺加速掺杂离子脱离表面的速度，保持腐蚀溶液的活性，从而提高腐蚀溶液对不同掺杂浓度单晶硅的腐蚀选择比，从而提高SOI衬底顶层硅厚度的均匀性。并且采用两次退火的方法，同时保证了旋转腐蚀的界面质量和键合界面的牢固程度。

主权项

1.一种绝缘体上的硅衬底的制备方，其特征在于，包括如下步骤：(a)提供单晶硅衬底，所述单晶硅衬底的表面的掺杂浓度为D1；(b)在单晶硅衬底表面生长掺杂单晶硅层，所述掺杂单晶硅层与单晶硅衬底具有相同的掺杂物质，掺杂单晶硅层的掺杂浓度为D2，D1不等于D2；(c)提供支撑衬底，所述支撑衬底表面具有绝缘层；(d)以绝缘层远离支撑衬底的表面以及掺杂单晶硅层远离单晶硅衬底的表面为两个相对的键合面，将支撑衬底和单晶硅衬底键合在一起，形成键合后的衬底；(e)对键合后的衬底进行第一次退火，退火温度不高于800℃；(f)采用旋转腐蚀的方法，使腐蚀溶液流过单晶硅衬底远离掺杂单晶硅层的表面，并旋转键合后的衬底，腐蚀单晶硅衬底至露出掺杂单晶硅层；(g)对键合后的衬底进行第二次退火，退火温度不低于1000℃；(h)抛光腐蚀后露出的掺杂单晶硅层的表面；步骤(g)和步骤(h)的实施顺序可交换。