[发明专利]绝缘体上的硅衬底的制备方法

权利要求书

1.一种绝缘体上的硅衬底的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

(a)提供单晶硅衬底，所述单晶硅衬底的表面的掺杂浓度为D₁；

(b)在单晶硅衬底表面生长掺杂单晶硅层，所述掺杂单晶硅层与单晶硅衬底具有相同的掺杂物质，掺杂单晶硅层的掺杂浓度为D₂，D₁不等于D₂；

(c)提供支撑衬底，所述支撑衬底表面具有绝缘层；

(d)以绝缘层远离支撑衬底的表面以及掺杂单晶硅层远离单晶硅衬底的表面为两个相对的键合面，将支撑衬底和单晶硅衬底键合在一起，形成键合后的衬底；

(e)对键合后的衬底进行第一次退火，退火温度不高于800℃；

(f)采用旋转腐蚀的方法，使腐蚀溶液流过单晶硅衬底远离掺杂单晶硅层的表面，并旋转键合后的衬底，腐蚀单晶硅衬底至露出掺杂单晶硅层；

(g)对键合后的衬底进行第二次退火，退火温度不低于1000℃；

(h)抛光腐蚀后露出的掺杂单晶硅层的表面；

步骤(g)和步骤(h)的实施顺序可交换。

2.根据权利要求1所述的绝缘体上的硅衬底的制备方法，其特征在于，所述掺杂物质为硼。

3.根据权利要求2所述的绝缘体上的硅衬底的制备方法，其特征在于，所述单晶硅衬底的掺杂浓度D₁大于掺杂单晶硅层的浓度D₂。

4.根据权利要求3所述的绝缘体上的硅衬底的制备方法，其特征在于，所述腐蚀单晶硅衬底的腐蚀溶液为氢氟酸、硝酸和醋酸的混合溶液。

5.根据权利要求2所述的绝缘体上的硅衬底的制备方法，其特征在于，所述单晶硅衬底的掺杂浓度D₁小于掺杂单晶硅层的浓度D₂。

6.根据权利要求5所述的绝缘体上的硅衬底的制备方法，其特征在于，所述腐蚀单晶硅衬底的腐蚀溶液为邻苯二酚、乙二胺和水的混合溶液。

7.根据权利要求1所述的绝缘体上的硅衬底的制备方法，其特征在于，所述键合后衬底的旋转角速度为每分钟100～5000周。

8.一种绝缘体上的硅衬底的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

(a)提供单晶硅衬底；

(b)将掺杂离子注入单晶硅衬底中，形成重掺杂层和位于重掺杂层表面的轻掺杂层；

(c)提供支撑衬底，所述支撑衬底表面具有绝缘层；

(d)以绝缘层远离支撑衬底的表面以及轻掺杂层远离重掺杂层的表面为两个相对的键合面，将支撑衬底和单晶硅衬底键合在一起，形成键合后的衬底；

(e)对键合后的衬底进行第一次退火，退火温度不高于800℃；

(f)采用旋转腐蚀的方法，使第一腐蚀溶液流过单晶硅衬底远离掺杂单晶硅层的表面，并旋转键合后的衬底，腐蚀单晶硅衬底直至露出重掺杂层；

(g)采用与步骤(e)相同的方法，使用第二腐蚀溶液腐蚀重掺杂层，直至露出轻掺杂层；

(h)对键合后的衬底进行第二次退火，退火温度不低于1000℃；

(i)抛光腐蚀后露出的轻掺杂层的表面；

步骤(h)和步骤(i)的实施顺序可交换。

9.根据权利要求8所述的绝缘体上的硅衬底的制备方法，其特征在于，所述掺杂物质为硼。

10.根据权利要求9所述的绝缘体上的硅衬底的制备方法，其特征在于，所述第一腐蚀溶液为邻苯二酚、乙二胺和水的混合溶液，第二腐蚀溶液为氢氟酸、硝酸和醋酸的混合溶液。