[发明专利]一种非挥发性存储元件及其制备方法无效
| 申请号： | 200810199124.1 | 申请日： | 2008-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN101452994A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | 包定华;陈心满 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C16/02;G11C11/56 |
| 代理公司： | 广州粤高专利代理有限公司 | 代理人： | 陈 卫 |
| 地址： | 510275广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种非挥发性存储元件，由MgxZn1-xO薄膜及其上下表面的Pt电极构成三明治结构的MgxZn1-xO薄膜非挥发性存储元件，其中x＝0.6或0.8或1。本发明还公开了上述非挥发性存储元件的制备方法，包括以下步骤：制备MgxZn1-xO前驱液；在Pt底电极上制备MgxZn1-xO薄膜；上述MgxZn1-xO薄膜在650℃下退火，然后冷却到室温；将上述经热处理后的MgxZn1-xO薄膜上表面镀Pt电极，构成三明治结构的MgxZn1-xO非挥发性存储器件。本发明提供的MgxZn1-xO非挥发性存储器件，其高阻、低阻比值更大，达到107至109，有利于提高器件的信噪比，改善器件性能，并简化存储态读出过程，具有广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 挥发性 存储 元件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种非挥发性存储元件，其特征在于由MgxZn1-xO薄膜及其上下表面的Pt电极构成三明治结构的MgxZn1-xO薄膜非挥发性存储元件，其中x＝0.6或0.8或1。
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