[发明专利]一种非挥发性存储元件及其制备方法无效
| 申请号： | 200810199124.1 | 申请日： | 2008-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN101452994A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | 包定华;陈心满 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C16/02;G11C11/56 |
| 代理公司： | 广州粤高专利代理有限公司 | 代理人： | 陈 卫 |
| 地址： | 510275广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 挥发性 存储 元件 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种非挥发性存储元件，其特征在于由MgxZn1-xO薄膜及其上下表面的Pt电极构成三明治结构的MgxZn1-xO薄膜非挥发性存储元件，其中x＝0.6或0.8或1。
2.权利要求1所述非挥发性存储元件的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
(1)制备MgxZn1-xO前驱液；
(2)在Pt底电极上制备MgxZn1-xO薄膜；
(3)上述MgxZn1-xO薄膜在650℃下退火，然后冷却到室温；
(4)将上述经热处理后的MgxZn1-xO薄膜上表面镀Pt电极，构成三明治结构的MgxZn1-xO非挥发性存储器件。
3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于步骤(1)是将二乙醇胺同溶剂充分混合，加入醋酸锌，待溶解后加入醋酸镁混匀，滴入冰醋酸，室温下搅拌后超声处理，得到MgxZn1-xO溶液，调节浓度为0.5mol/L，得到制备薄膜用前驱液。
4.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于所述的溶剂是乙二醇甲醚。
5.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于步骤(2)是利用MgxZn1-xO前驱液在衬底上制备薄膜，调整甩膜参数和甩膜时间，甩膜后的湿膜在热平板上预处理，经过多次甩膜-预处理-甩膜过程，以及热处理，得到MgxZn1-xO薄膜。
6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于所述衬底是镀Pt的Si衬底。
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