[发明专利]相变化存储装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200810190672.8 | 申请日： | 2008-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN101764194A | 公开（公告）日： | 2010-06-30 |
| 发明（设计）人： | 李乾铭;黄明政;庄仁吉;林家佑;王敏智 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种相变化存储装置及其制造方法。相变化内存装置，包括：基底，其上设置有第一介电层；第一电极，设置于该第一介电层内；第二介电层，位于该第一介电层上；加热电极，设置于该第二介电层内；相变化材料层，位于该第二介电层上；以及第二电极，位于该相变化材料层之上，其中该加热电极具有接触该第一电极的第一部以及接触该相变化材料层的第二部，该第二部包括金属硅化物而该第一部不包括金属硅化物。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种相变化存储装置，包括：基底；第一介电层，设置于该基底上；第一电极，设置于该第一介电层内；第二介电层，位于该第一介电层上并覆盖该第一电极；加热电极，设置于该第二介电层内并接触该第一电极；相变化材料层，位于该第二介电层上且接触该加热电极；以及第二电极，位于该相变化材料层上，其中该加热电极具有接触该第一电极的第一部以及接触该相变化材料层的第二部，该第二部包括金属硅化物而该第一部不包括金属硅化物。
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