[发明专利]相变化存储装置及其制造方法

权利要求书

1.一种相变化存储装置，包括：

基底；

第一介电层，设置于该基底上；

第一电极，设置于该第一介电层内；

第二介电层，位于该第一介电层上并覆盖该第一电极；

加热电极，设置于该第二介电层内并接触该第一电极；

相变化材料层，位于该第二介电层上且接触该加热电极；以及

第二电极，位于该相变化材料层上，其中

该加热电极具有接触该第一电极的第一部以及接触该相变化材料层的 第二部，该第二部包括金属硅化物而该第一部不包括金属硅化物。

2.如权利要求1所述的相变化存储装置，其中该加热电极的该第二部具 有倒T状的剖面。

3.如权利要求1所述的相变化存储装置，其中该加热电极的该第二部与 该相变化材料层相接触的表面具有不大于30nm的直径。

4.如权利要求1所述的相变化存储装置，其中该加热电极的该第一部包 括经掺杂的多晶硅材料。

5.如权利要求1所述的相变化存储装置，其中该加热电极的该第一部包 括耐火金属材料或贵金属材料。

6.如权利要求1所述的相变化存储装置，其中该相变化材料层包括硫属 化合物。

7.如权利要求1所述的相变化存储装置，其中该加热电极的该第二部仅 包括金属硅化物。

8.如权利要求1所述的相变化存储装置，其中该加热电极的该第二部包 括为金属硅化物次层所环绕的多晶硅次层，而该相变化材料层接触了该金属 硅化物次层与该多晶硅次层。

9.一种相变化存储装置的制造方法，包括：

提供基底，其上形成有第一电极；

于该基底上形成第一介电层，以环绕该第一电极并露出该第一电极的顶 面；

形成第二介电层于该第一介电层上以覆盖该第一电极与该第一介电层；

于该第二介电层内形成加热电极；

形成相变化材料层于该第二介电层上；以及

形成第二电极于该相变化材料层之上，以接触该相变化材料层，其中

该加热电极具有接触该第一电极的第一部与接触该相变化材料层的第 二部，该第二部包括金属硅化物而该第一部不包括金属硅化物，其中该加热 电极的该第一部包括经掺杂多晶硅材料、贵金属材料或耐火金属材料。

10.如权利要求9所述的相变化存储装置的制造方法，其中该加热电极 的第一部包括经掺杂的多晶硅材料，而于该第二介电层内形成该加热电极包 括：

施行第一蚀刻程序，去除部分的该第二介电层且露出该加热电极的部；

施行第二蚀刻程序，部分去除为该第二介电层所露出的该加热电极的该 部，因而使得该加热电极的该部具有缩减直径；

顺应地形成耐火金属材料或贵金属材料于该第二介电层上且覆盖该加 热电极的该部；

施行第一退火程序，使接触该耐火金属材料或该贵金属材料的该加热电 极的该部发生金属硅化反应，而接触该耐火金属材料或该贵金属材料的第二 介电层不发生金属硅化反应；以及

去除未与该加热电极的该部反应的该耐火金属材料或该贵金属材料，以 于该第二介电层内形成该加热电极的该第一部与该第二部。

11.如权利要求10所述的相变化存储装置的制造方法，其中于去除未与 该加热电极的该部反应的该耐火金属材料或该贵金属材料之后，还包括施行 第二退火程序。