[发明专利]功率金属氧化物半导体场效晶体管结构及其制程方法有效
| 申请号： | 200810189254.7 | 申请日： | 2008-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN101764061A | 公开（公告）日： | 2010-06-30 |
| 发明（设计）人： | 苏世宗 | 申请（专利权）人： | 马克斯半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市浩天知识产权代理事务所 11276 | 代理人： | 刘云贵 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明是提供一种功率金属氧化物半导体场效晶体管的结构及其制程方法，其在组件单一记忆单元的源极接点区加入一沟道式电场屏护设计，可达到浅结(shallow junction)低导通电阻，此外利用源极接点区下重掺杂区结分布的改变而可保有较佳的雪崩崩溃能量，以提升组件雪崩崩溃能量的耐受度。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 金属 氧化物 半导体 晶体管 结构 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种功率金属氧化物半导体场效晶体管结构的制程方法，其特征在于，其包含下列步骤：(a)提供一衬底作为漏极，其上具有一外延层；(b)在所述外延层上蚀刻出一栅极浅沟道结构及一源极浅沟道结构；(c)在所述些浅沟道的侧壁及底部形成氧化物层，并在所述沟道内沉积多晶硅结构；(d)进行一第一次离子注入制程，以在所述外延层中形成一浅基体结；(e)进行一第二次离子注入制程，以在所述外延层中形成一浅源极结；(f)沉积一介电质层，利用掩模光刻制程在所述外延层中蚀刻所述源极浅沟道结构以形成一源极接点区；(g)进行一倾角离子注入制程，以在所述源极浅沟道结构两侧的所述外延层中各形成一重掺杂区；及(h)沉积一金属导线以与所述源极接点区接触而形成一源极金属导线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
