[发明专利]半导体装置和制造该半导体装置的方法无效
| 申请号： | 200810186187.3 | 申请日： | 2008-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN101465371A | 公开（公告）日： | 2009-06-24 |
| 发明（设计）人： | 生田哲也 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L21/332 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余 刚;吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置以及制造该半导体装置的方法。所述半导体装置包括晶闸管，在该晶闸管中，第一导电型的第一区、具有与第一导电型相反的导电型的第二导电型的第二区、第一导电型的第三区和第二导电型的第四区依次排列成结。第三区形成在由单元隔离区分隔的半导体基板上。在第三区上设置了栅电极和侧墙，所述栅电极由栅绝缘膜形成，所述侧墙形成于栅电极的两侧的侧壁上。并且第四区的形成使得其一端覆盖第三区的另一端和单元隔离区之间的接合部，并使得第四区的另一端与另一侧的侧墙接合。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体装置，包括晶闸管，其中，第一导电型的第一区、具有与所述第一导电型相反的导电型的第二导电型的第二区、第一导电型的第三区以及第二导电型的第四区依次排列以形成结，其中，所述第三区形成在被单元隔离区分隔的半导体基板上；并且在所述第三区上设置有栅电极和侧墙，所述栅电极经由栅绝缘膜形成，所述侧墙形成在所述栅电极两侧的侧壁处，以及，形成所述第四区，使得所述第四区的一端覆盖所述第三区的另一端和所述单元隔离区之间的接合部，并且使得所述第四区的另一端与另一侧的侧墙接合。
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