[发明专利]半导体装置和制造该半导体装置的方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括

晶闸管，其中，第一导电型的第一区、具有与所述第一 导电型相反的导电型的第二导电型的第二区、第一导电型的第 三区以及第二导电型的第四区依次排列以形成结，其中，

所述第三区形成在被单元隔离区分隔的半导体基板上； 并且

在所述第三区上设置有栅电极和侧墙，所述栅电极经由 栅绝缘膜形成，所述侧墙形成在所述栅电极两侧的侧壁处，以 及，

形成所述第四区，使得所述第四区的一端覆盖所述第三 区的位于所述第四区一侧的一端和所述单元隔离区之间的接 合部，并且使得所述第四区的另一端与位于所述第四区一侧的 侧墙接合。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，除形成在第四区的 表面上的金属硅化物层以外的第四区的厚度等于或大于在所 述第四区和所述第三区之间的界面产生的、在所述第四区侧的 耗尽层的膜厚度。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，形成所述第二区， 使得所述第二区的一端覆盖所述第三区的一端和所述单元隔 离区之间的接合部，并且使得第二区的另一端与一侧的侧墙接 合。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二区的膜厚 度不小于在所述第一区和所述第二区之间的界面产生的、所述 第二区侧的耗尽层和在所述第二区和所述第三区之间的界面 产生的、第二区侧的耗尽层的厚度之和。

5.一种制造半导体装置的方法，所述半导体中形成有晶闸管，所 述晶闸管由依次排列以形成结的第一导电型的第一区、具有与 所述第一导电型相反的导电型的第二导电型的第二区、第一导 电型的第三区以及第二导电型的第四区组成，所述方法包括：

在半导体基板中形成单元隔离区的步骤；

在被所述单元隔离区分隔的所述半导体基板上形成所述 第三区的步骤；

在所述第三区上经由栅绝缘膜形成栅电极，并在所述栅 电极的侧壁处形成侧墙的步骤；

在所述栅电极一侧、在所述第三区上形成所述第二区的 步骤；

在所述第二区上形成所述第一区的步骤；以及

在所述栅电极另一侧、在所述第三区上形成所述第四区 的步骤，其中，

在形成所述第四区的步骤中，形成所述第四区，使得所 述第四区的一端覆盖所述第三区的位于所述第四区一侧的一 端和所述单元隔离区的接合部，并且使得所述第四区的另一端 与位于所述第四区一侧的侧墙接合。

6.根据权利要求5所述的制造半导体装置的方法，还包括在所述 第一区的表面上、所述第四区的表面上以及所述栅电极上形成 金属硅化物层的步骤，其中，

所述金属硅化物层形成之后，所述第四区仍然使得所述 第四区的一端覆盖所述第三区的另一端和所述单元隔离区之 间的接合部。

7.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，在形成所述第 二区的步骤中，形成所述第二区，使得所述第二区的一端覆盖 所述第三区的一端和所述单元隔离区的接合部，并且使得所述 第二区的另一端与所述一侧的侧墙的侧面接合。