[发明专利]半导体装置的制造方法无效
| 申请号： | 200810185707.9 | 申请日： | 2008-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN101447412A | 公开（公告）日： | 2009-06-03 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/336;H01L21/205 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 柯广华;王丹昕 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明“半导体装置的制造方法”为提高在成膜初期形成的微晶半导体膜的质量而在成膜速度慢而质量优良的成膜条件下形成基底绝缘膜界面附近的微晶半导体膜，然后以连续地或阶梯状地提高成膜速度来沉积微晶半导体膜。此外，在以成膜室的内侧具有空间的方式设置的反应室中通过化学气相沉积法形成所述微晶半导体膜。再者，在所述空间中引入密封气体来辅助使反应室的内部成为超高真空，并减少基底绝缘膜界面附近的微晶半导体膜中的杂质。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：将衬底置放到反应室中，所述反应室设在成膜室中，在所述反应室和所述成膜室之间具有空间；将密封气体送入所述空间中；将反应气体送入所述反应室中；以及通过等离子体增强化学气相沉积法，在所述反应室中将半导体膜形成在所述衬底上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
