[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：

将衬底置放到反应室中，所述反应室设在成膜室中，在所述反应室和所述成膜室之间具有空间；

将密封气体送入所述空间中；

将反应气体送入所述反应室中；以及

通过等离子体增强化学气相沉积法，在所述反应室中将半导体膜形成在所述衬底上。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，在形成所述半导体膜的过程中，将氟或含氟气体送入所述反应室中。

3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，在形成所述半导体膜的过程中，将磷化氢送入所述反应室中。

4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，还包括如下步骤：在将所述衬底置放到所述反应室中之前，将氟或包含氟的气体送入所述反应室中，并产生等离子体。

5.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，还包括如下步骤：在将所述衬底置放到所述反应室中之前，将磷化氢送入所述反应室中，并产生等离子体。

6.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中：

所述密封气体包含氢气和稀有气体中的至少一种，并且

除氢气和稀有气体之外的元素浓度为10^-7atoms％以下。

7.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：

在衬底上形成栅电极；

在所述栅电极上形成栅极绝缘膜；

在形成所述栅极绝缘膜之后，将所述衬底置放到反应室中，所述反应室设在成膜室中，在所述反应室和所述成膜室之间具有空间；

将密封气体送入所述空间中；

将反应气体送入所述反应室中；以及

通过等离子体增强化学气相沉积法，在所述反应室中将微晶半导体膜形成在所述栅极绝缘膜上，

其中，在形成所述微晶半导体膜的过程中，从所述衬底侧朝所述微晶半导体膜的生长方向阶梯状地或连续地增加成膜速度。

8.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中，在形成所述微晶半导体膜的过程中，将氟或含氟气体送入所述反应室中。

9.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中，在形成所述微晶半导体膜的过程中，将磷化氢送入所述反应室中。

10.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，还包括如下步骤：在将所述衬底置放到所述反应室中之前，将氟或含氟气体送入所述反应室中，并产生等离子体。

11.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，还包括如下步骤：在将所述衬底置放到所述反应室中之前，将磷化氢送入所述反应室中，并产生等离子体。

12.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中：

所述密封气体包含氢气和稀有气体中的至少一种，并且

除氢气和稀有气体之外的元素浓度为10^-7atoms％以下。

13.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：

在衬底上形成栅电极；

在所述栅电极上形成栅极绝缘膜；

在形成所述栅极绝缘膜之后，将所述衬底置放到反应室中，所述反应室设在成膜室中，在所述反应室和所述成膜室之间具有空间；

将密封气体送入所述空间中，并将反应气体送入所述反应室中；

通过等离子体增强化学气相沉积法，在所述反应室中将微晶半导体膜形成在所述栅极绝缘膜上；

在所述微晶半导体膜上形成缓冲层，所述缓冲层包括含氢、氮或卤素的非晶半导体膜；以及

在所述缓冲层上形成半导体膜，所述半导体膜包含赋予一种导电型的杂质元素，

其中，在形成所述微晶半导体膜的过程中，从所述衬底侧朝所述微晶半导体膜的生长方向阶梯状地或连续地增加成膜速度。

14.根据权利要求13所述的半导体装置的制造方法，其中，在形成所述微晶半导体膜的过程中，将氟或含氟气体送入所述反应室中。

15.根据权利要求13所述的半导体装置的制造方法，其中，在形成所述微晶半导体膜的过程中，将磷化氢送入所述反应室中。