[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200810184900.0 | 申请日： | 2008-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN101459197A | 公开（公告）日： | 2009-06-17 |
| 发明（设计）人： | 李斗成 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/49;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 李丙林;张 英 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括：在半导体衬底的有源区上方形成的栅极介电膜，形成在栅极介电膜上方的栅电极，该栅电极由硅化膜和位于栅电极底部的多晶硅区形成。因此，根据本发明实施例，通过使用由形成局部硅化的栅极图样引起的非硅化多晶硅区，可以对功函数进行不同地控制，并可以将具有不同功函数的栅极图样应用到晶体管，以便可以减小栅电极和结的电阻，这可以最大化器件的特性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种装置，包括：半导体衬底，具有至少一个有源区；栅极介电膜，在所述半导体衬底的有源区上方；以及栅电极，在所述栅极介电膜上方，所述栅电极由多晶硅区和所述多晶硅区上方的硅化膜形成。
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