[发明专利]一种薄膜沉积装置和其沉积方法有效
| 申请号: | 200810184442.0 | 申请日: | 2008-12-24 |
| 公开(公告)号: | CN101469412A | 公开(公告)日: | 2009-07-01 |
| 发明(设计)人: | 申寅澈;田英洙 | 申请(专利权)人: | K.C.科技股份有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;H01L21/00 |
| 代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人: | 郭鸿禧;罗延红 |
| 地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | 本发明提供了一种薄膜沉积装置和其方法,其包括反应室,可以旋转地装载在上述反应室内且安装至少一个衬底的基座,装载在上述反应室的上部而将多个气体分别地提供给上述反应室内的气体供给单元,与提供上述多个气体的各个区域的边界相对应装载在上述基座上且具备排出周围气体的排气线的分离排气单元和对上述分离排气单元提供吸入力的真空抽气单元,其可以分离和排出源气和反应气体且通过减少粒子等不纯物的产生可以提高薄膜质量。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 薄膜 沉积 装置 方法 | ||
【主权项】:
1、一种薄膜沉积装置,其包括:反应室;可以旋转地装载在上述反应室内且安装至少一个衬底的基座;装载在上述反应室的上部而将多个气体分别地提供给上述反应室内的气体供给单元;与提供上述多个气体的各个区域的边界相对应装载在上述基座上且具备排出周围气体的排气线的分离排气单元;和对上述分离排气单元提供吸入力的真空抽气单元。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





